[实用新型]用于制备抗PID薄膜的装置有效
申请号: | 201420327266.2 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN203910835U | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 万松博;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 pid 薄膜 装置 | ||
1.一种用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:包括臭氧发生器和箱体(1),箱体内具有密闭的容置空间;所述箱体侧面设有门(2);
所述箱体的顶部设有进气孔,底部设有排气孔;
所述门的底部与箱体铰接;门和箱体之间设有开门限位器(3),使门打开的角度为45~90度;
所述门的内表面设有至少1对支架(4),所述支架与小花篮(5)配合,使小花篮挂设于支架上,且关门时小花篮在箱体内处于竖直状态。
2.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述臭氧发生器为紫外线臭氧发生器或电弧臭氧发生器。
3.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述门和箱体之间设有开门限位器,使门打开的角度为60度。
4.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述支架包括横杆(6)和支撑杆(7),横杆与门相互垂直设置,支撑杆、横杆和门形成直角三角形结构,三角形所在的面与门的侧边平行,支撑杆位于横杆靠向门底边一侧。
5.根据权利要求4所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述横杆的长度为14~16厘米,支撑杆和门的交点与横杆和门的交点之间距离为2~20厘米。
6.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述箱体内的容置空间深15~16厘米,宽19~20厘米,高40~100厘米。
7.根据权利要求1所述的用于制备抗PID薄膜的装置,其特征在于:所述门的内表面设有2~5对支架,各对支架间的距离为17~20厘米,最后一对支架距离门底边的距离为17~25厘米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的