[实用新型]用于制备抗PID薄膜的装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能应用技术领域，尤其涉及一种用于制备抗PID薄膜的装置。

背景技术

高压诱导衰减效应（Potential Induced Degradation，简称PID效应），是最近几年光伏领域出现的较新的衰减效应。随着光伏并网系统的逐渐推广应用，系统电压越来越高，常用的有600V和1000V。组件内部电池片相对于大地的压力越来越高，有的甚至达到600-1000V。一般组件的铝边框都要求接地，这样在电池片和铝边框之间就形成了600-1000V的高压。一般来说，组件封装的层压过程中，结构为5层，电池片在EVA中间，玻璃和背板在最外层，层压过程中EVA形成了透明、电绝缘的物质。然而，任何塑料材料都不可能100%的绝缘，而都具有一定的导电性，特别是在湿度较大的环境中，会有漏电流通过电池片，在封装材料、玻璃、背板、铝边框，如果在内部电路和铝边框之间形成高电压，漏电流将会达到微安或毫安级别，这就是太阳能电池的高压诱导效应，即PID效应，PID效应会使电池表面钝化效果恶化和形成漏电回路，导致填充因子、开路电压、短路电流降低，使组件性能低于设计标准。严重时，PID效应可以使组件功率下降30%以上。

解决PID问题的关键是生产具有抗PID能力的太阳能电池片。有研究表明，在常规晶体硅太阳能电池片的氮化硅和晶体硅片之间增加一层介质膜是有效的抗PID手段，其中，使用臭氧使硅片表面形成一层氧化硅薄膜是较为经济可靠的工艺方法。

另一方面，目前太阳能产业内主要的刻蚀清洗方式有两种：一种为湿法刻蚀，即硅片逐片流过化学溶液完成刻蚀和去PSG清洗。另一种为干法刻蚀，即硅片叠在一起后使用等离子刻蚀机刻蚀，刻蚀后将硅片插在小花篮里，进行去PSG清洗；小花篮内的硅片彼此平行，硅片间的间距约1~5 mm。对于湿法刻蚀的工艺而言，目前已经有成熟的臭氧氧化设备可以利用。具体实现方法为在湿法刻蚀机出口处，将臭氧吹向逐片流出硅片的表面，实现氧化。针对干法刻蚀的工艺而言，目前尚无设备可以直接利用。而且，由于小花篮内的硅片平行设置且间距较小，因此上述用于湿法刻蚀的臭氧氧化设备也无法运用。

因此，设计一种专门针对干法刻蚀工艺的制备抗PID薄膜的装置，使臭氧可以充分均匀、快速地流过花篮内每一片硅片的每一个位置，快速、充分地形成氧化硅薄膜，对实现抗PID电池片的生产具有现实意义。

发明内容

本实用新型目的是提供一种用于制备抗PID薄膜的装置。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种用于制备抗PID薄膜的装置，包括臭氧发生器和箱体，箱体内具有密闭的容置空间；所述箱体侧面设有门；

所述箱体的顶部设有进气孔，底部设有排气孔；

所述门的底部与箱体铰接；门和箱体之间设有开门限位器，使门打开的角度为45~90度；

所述门的内表面设有至少1对支架，所述支架与小花篮配合，使小花篮挂设于支架上，且关门时小花篮在箱体内处于竖直状态。

上文中，所述臭氧发生器是用来产生臭氧的，属于现有设备；所述臭氧发生器的数量为至少1个。

所述箱体的顶部设有进气孔，底部设有排气孔，这些气孔均与箱体内的容置空间连通，以便流通臭氧。所述容置空间用来盛装小花篮；

所述门的底部与箱体铰接，从而形成类似吊桥的结构，主要是为了便于小花篮的取放。

所述小花篮属于现有设备，在背景技术中亦有提及，其主要用来盛装硅片，小花篮内的硅片彼此平行，硅片间的间距约1~5 mm；小花篮的两侧设有翻边，所述支架与小花篮配合，使小花篮挂设于支架上，就是靠小花篮的翻边挂靠于支架对上。所述关门时小花篮在箱体内处于竖直状态，是指小花篮及其内的硅片均处于竖直状态，即硅片是竖直的。

上述技术方案中，所述臭氧发生器为紫外线臭氧发生器或电弧臭氧发生器。

上述技术方案中，所述门和箱体之间设有开门限位器，使门打开的角度为60度。这样不仅便于工人操作，而且可以防止小花篮滑落。

上述技术方案中，所述支架包括横杆和支撑杆，横杆与门相互垂直设置，支撑杆、横杆和门形成直角三角形结构，三角形所在的面与门的侧边平行，支撑杆位于横杆靠向门底边一侧。优选的，支架上可以设置卡箍结构，以便更好的稳定小花篮。

优选的，所述横杆的长度为14~16厘米，支撑杆和门的交点与横杆和门的交点之间距离为2~20厘米。

上述技术方案中，所述箱体内的容置空间深15~16厘米，宽19~20厘米，高40~100厘米。