[实用新型]一种半导体芯片测试装置

说明书

技术领域

    本实用新型涉及半导体芯片测试领域，具体的说是涉及一种半导体芯片测试装置。

背景技术

半导体芯片测试装置主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。

从功能上来区分有：温控型，真空型（超低温探针台），RF型，LCD平板型，霍尔效应型，表面电阻率型。

随着现今电子设备的高端化，小型化，对半导体芯片的封装与测试流程的性能提出了更高的要求，特别是到移动电话、个人电脑到电子消费品的制造更是如此。而在产品组装过程中，最不可或缺的关键就是快速精确稳定。客户在检测微小的芯片的裸晶的筛选，抓取，移动，插件等与后续制程上遇到了诸多品质障碍。在此过程中，必须采用高端运动控制结合配合机器视觉系统一起相辅相成达成芯片光学质量检测与封装工艺，藉以提高生产效率。

现有技术中，由于芯片测试过程中，芯片都是单片的被放置在托盘中，每测试一片都需重复对芯片进行拾放动作，容易损伤芯片，导致良率下降的可能，并且定位精度不好，使测试装置常出现异常处理，拾放动作需要较长的辅助时间，测试装置的测试效率也很低。由于芯片放置在芯片放置在基板上，虽然在基板上设置有芯片放置区域标识，但芯片由于人工操作，容易偏既定区域，导致芯片测试不合格，即相当于本身是好的芯片，被测成不良品，这样就导致资源的浪费。

因此，半导体芯片测试装置需要改进。

实用新型内容

针对上述技术中的不足，本实用新型提供了一种芯片测试稳定、测试探针接触良好的半导体芯片测试装置。

为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：

一种半导体芯片测试装置，主要由测试探针、引线和台座组成，用于完成片电极与测量电路的电气连接的装置，它包括一基底，在所述基底上、电极在双侧的芯片，粘贴有银浆层，所述芯片右上方设有消除杂散光的光阑。

进一步的，在芯片左右两侧的银浆层被芯片压住部分区域。

进一步的，所述银浆层厚度在0.1-1mm之间。

进一步的，所述光阑置于芯片右上方80° ～85°之间。

本实用新型的有益效果是：在所述基底上、电极在双侧的芯片，粘贴有银浆层，银浆层具有吸附芯片作用，可以将芯片很稳定的固定在基板上，不会使其乱动，在测试过程中，可以达到百分之百的准确测量，不再会将合格品当作不良品被报废掉。另外在芯片右上方设置有光阑，可以有效的消除杂散光，提高芯片的测量准确率。

附图说明

图1为本实用新型测量芯片原理图。

图2为本实用新型基底上的芯片及银浆层结构示意图。

附图中标记：基底10；芯片20；银浆层30；光度探测器1；光阑3。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型作详细说明。

本实用新型主要由测试探针、引线和台座组成，用于完成片电极与测量电路的电气连接的装置。

请参照附图1、2，本实用新型的一种半导体芯片测试装置，包括一基底10，在所述基底10上、电极在双侧的芯片20，粘贴有银浆层30。在芯片20左右两侧的银浆层30被芯片20压住部分区域。所述银浆层30厚度在0.1-1mm之间。所述芯片20右上方设有消除杂散光的光阑3。

如图1所示，光度探测器1的相对光谱响应度应该校准到和 CIE国际照明委员会）标准光度观测者光谱光视效率函数 V(λ)一致;测试辐射参数时应采用无光谱选择性的光探测器。测试系统应该按距离 d 和光阑 D1用标准器校正。 测量距离 d 必须大于光度探测器直径 5 倍～10 倍。要求被测器件的机械轴通过探测器孔径的中心。

将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电气连接。光度探测器的相对光谱响应度应该校准到和 CIE国际照明委员会）标准光度观测者光谱光视效率函数 V(λ)一致;测试辐射参数时应采用无光谱选择性的光探测器。 测试系统应该按距离 d 和光阑 D1用标准器校正。 测量距离 d 必须大于光度探测器直径 5 倍～10 倍。要求被测器件的机械轴通过探测器孔径的中心。对于脉冲测量，电流源应该提供所要求的幅度、宽度和重复率的电流脉冲。探测器上升时间相对于脉冲宽度应该足够小，系统应该是一个峰值测量仪器。