[实用新型]高纯平面铝钕靶的制作装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高纯平面铝钕靶的制作装置，属于功能材料技术领域。

背景技术

平面铝钕靶一般应用在真空磁溅射法生产高清显示屏用TFT（薄膜场效应晶体管）。现有技术中，铝钕靶的生产方式为铸造、锻造、轧制、退火等工序，不但生产环节多，成本高，而且产品晶粒取向杂乱无章，在真空磁控溅射时得到的膜层不能达到非常高的均匀性。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种高纯平面铝钕靶的制作装置，采用该制作装置得到的铝钕靶晶粒取向一致，在真空磁控溅射时得到更加均匀的膜层。

按照本实用新型提供的技术方案，一种纯平面铝钕靶的制作装置，包括真空炉体外壳，在真空炉体外壳的内部设置炉体，炉体上部设置炉盖；特征是：所述炉体包括炉胆和设置在炉胆外表面的保温层，在炉胆的内壁设置电炉丝，在炉胆的底部设置冷却底座，冷却底座的上放置模具，冷却底座的上表面呈锯齿状，在冷却底座上设置冷却水通道，冷却水通道两端分别与冷却水进水管和冷却水出水管连接；在所述炉盖上设置通气孔，在真空炉体外壳的顶部设置通气管，在真空炉体外壳的中部设置抽气管。

进一步的，所述模具呈柱体状，模具的内腔为放置铝钕合金块的空腔，模具的底表面呈与冷却底座上表面相配合的锯齿状。

进一步的，在所述炉胆内壁设置热电偶。

进一步的，在所述保温层上设置电极，电极与电炉丝连接。

进一步的，在所述真空炉体外壳的上部设置进水管，在真空炉体外壳的下部设置出水管。

本实用新型所述高纯平面铝钕靶的制作装置，可以生产得到晶粒取向一致的铝钕靶，在真空磁控溅射时可以得到更加均匀的膜层。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为所述模具的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图对本实用新型作进一步说明。

如图1所示：所述高纯平面铝钕靶的制作装置包括炉盖1、炉体2、电极3、保温层4、炉胆5、冷却水进水管6、通气孔7、进水管8、真空炉体外壳9、热电偶10、抽气管11、电炉丝12、冷却水出水管13、出水管14、通气管15、冷却底座16等。

如图1所示，本实用新型所述纯平面铝钕靶的制作装置包括真空炉体外壳9，在真空炉体外壳9的内部设置炉体2，炉体2上部设置炉盖1；所述炉体2包括炉胆5和设置在炉胆5外表面的保温层4，在炉胆5的内壁设置电炉丝12，在炉胆5的底部设置冷却底座16，冷却底座16的上表面呈锯齿状，在冷却底座16上设置冷却水通道，冷却水通道两端分别与冷却水进水管6和冷却水出水管13连接；在所述炉盖1上设置通气孔7，在真空炉体外壳9的顶部设置通气管15，在真空炉体外壳9的上部设置进水管8，在真空炉体外壳9的下部设置出水管14，在真空炉体外壳9的中部设置抽气管11；

如图1所示，在所述炉胆5内壁设置热电偶10，作为测温元件；在所述保温层4上设置电极3，电极3与电炉丝12连接；

如图2所示，所述模具呈柱体状，模具的内腔为放置铝钕合金块的空腔，模具的底表面呈与冷却底座16上表面相配合的锯齿状，从而使模具和冷却底座相配合，增强冷却效果。

实施例一：一种高纯平面铝钕靶的制作方法，包括以下工艺步骤：

（1）原料选择：选择铝钕合金块作为原料，铝钕合金块中铝与钕的质量百分比为90%:10%；

（2）模具的准备：将DY08涂料用水调和得到涂料糊，DY08涂料与水的质量比为1:1，用喷枪将涂料糊均匀喷在模具内壁，枪口距模具内壁的距离为25厘米；涂料糊干透后放入烘箱中进行烤模以去掉水分和其他挥发物质，温度为350℃，时间为120分钟；

（3）清理原料表面，磨掉表面氧化膜，将原料缓慢装入模具中，装齐到和模具上口齐平，注意不要碰掉模具内壁有面的涂层；

（4）将模具放在冷却底座上，注意不能碰到炉胆内壁的电炉丝，关上炉门和炉盖；

（5）通过抽气管进行抽真空，当真空度达到0.01Pa时停止抽气，打开进气管充入氩气，压力达到1个大气压时停止充气；重复上述步骤3遍； 

（6）模具进行加热，以每分钟3℃的升温速率从室温升到160℃，保温1.5小时，以除去原料吸附的水份及有害气体；再以每分钟2℃的升温速率升到700℃，保温100分钟，使熔液中的氢气、氧气和氮气挥发出来；加热过程中保持真空泵开启，以除去原料中吸附的水份及气体；