[实用新型]一种单槽恒温晶振的控温结构

权利要求书

1.一种单槽恒温晶振的控温结构，其特征在于，包括设置有晶体振荡电路的第一PCB板，将第一PCB板和晶体振荡电路均容纳于其内的恒温槽，用于安装恒温槽的第二PCB板，以及包含有两个温度传感器RT1、RT2和功率管的控温电路，其中，温度传感器RT1位于恒温槽内并与之热连接，功率管设置于恒温槽外壁，温度传感器RT2和控温电路中的其他剩余部件安装于第二PCB板上，且温度传感器RT2位于恒温槽外部。

2.根据权利要求1所述的一种单槽恒温晶振的控温结构，其特征在于，所述温度传感器RT2与恒温槽之间存在0.5~2mm的间隙。

3.根据权利要求2所述的一种单槽恒温晶振的控温结构，其特征在于，所述间隙为开设于第二PCB板上的间隙槽。

4.根据权利要求3所述的一种单槽恒温晶振的控温结构，其特征在于，所述间隙的距离为1mm。

5.根据权利要求1所述的一种单槽恒温晶振的控温结构，其特征在于，所述功率管为2个，分别位于恒温槽外壁的两对侧。

6.根据权利要求1~4任一项所述的一种单槽恒温晶振的控温结构，其特征在于，所述恒温槽包括与第二PCB板连接的槽体，以及配合槽体和第二PCB板将槽内空间封闭的盖板。

7.根据权利要求1~4任一项所述的一种单槽恒温晶振的控温结构，其特征在于，所述控温电路包括反相输入端与温度传感器RT1连接的运算放大器U1，连接于运算放大器U1反相输入端与电源VREF之间的电阻R5，依次串联后与电阻R5并联的电阻R7和电阻R9，连接于运算放大器U1同相输入端与电源VREF之间的电阻R3，一端与运算放大器U1同相输入端连接且另一端接地的电阻R4，以及两端分别与运算放大器U1反相输入端和输出端连接的电阻R13，其中，功率管与运算放大器U1输出端连接，电源VREF通过电阻R10为运算放大器U1供电，所述温度传感器RT2一端接地且另一端连接于电阻R7和电阻R9之间。

8.根据权利要求7所述的一种单槽恒温晶振的控温结构，其特征在于，所述功率管包括一端与运算放大器U1输出端连接的电阻R2，基极与电阻R2另一端连接且集电极接地的三极管Q1，以及连接于三极管Q1发射极与电源VCC之间的电阻R1；

或者，所述功率管包括一端与运算放大器U1输出端连接的电阻R12，基极与电阻R12另一端连接且集电极接地的三极管Q2，以及连接于三极管Q2发射极与电源VCC之间的电阻R11。