[实用新型]一种单槽恒温晶振的控温结构有效

专利信息
申请号: 201420335929.5 申请日: 2014-06-23
公开(公告)号: CN203896310U 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 田培洪 申请(专利权)人: 成都世源频控技术有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市武侯*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 恒温 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种单槽恒温晶振,特别是涉及对晶振温度稳定度和短期频率稳定度有特别要求的低频(如10MHz)高稳定度恒温晶体振荡器的控温结构。

背景技术

随着电子技术的进一步发展,通信系统对系统参考信号或时间基准的要求越来越高,在时统领域,对高稳晶振的频率稳定度的要求也越来约苛刻。要达到规定的高稳定度(如温度稳定度优于±1×10-9@(-20~+70℃);短稳优于1e-12),需要采取各种不同的甚至特殊的技术处理方式。

现有技术中,对温度稳定度要求极高的恒温晶振一般采用双槽恒温技术解决,双槽控温结构降低了温度传感器和晶体谐振器之间的温度梯度,因而可以达到很高的控温精度,这种恒温方式可以达到10-10量级的温度稳定度,但其固有特性决定了该类产品结构设计复杂,装配调试都较为困难,批生产性不够。常规的单槽恒温晶振一般是采用功率管对晶体谐振器和其主振电路进行恒温处理,功率管直接对晶体谐振器直接加热,这样也可以获得小系数10-9量级的频率温度稳定度(如目前民用通信市场大量采用的二级钟),该类产品具有功耗低,稳定时间快的优点,但由于采用直接对谐振器加热恒温的方式,热容量较小,导致晶振输出信号频率对环境温度的波动比较敏感,产品的短期频率稳定度(阿伦方差)指标难以进一步提高。

实用新型内容

针对上述现有技术中的问题,本实用新型提供一种设计合理、结构简单、调试简单、以简便的单槽恒温技术实现较高温度稳定度和短期频率稳定度的单槽恒温晶振的控温结构。

为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:

一种单槽恒温晶振的控温结构,包括设置有晶体振荡电路的第一PCB板,将第一PCB板和晶体振荡电路均容纳于其内的恒温槽,用于安装恒温槽的第二PCB板,以及包含有两个温度传感器RT1、RT2和功率管的控温电路,其中,温度传感器RT1位于恒温槽内并与之热连接,功率管设置于恒温槽外壁,温度传感器RT2和控温电路中的其他剩余部件安装于第二PCB板上,且温度传感器RT2位于恒温槽外部。所述晶体振荡电路主要由晶体谐振器及其振荡电路构成。

进一步地,所述温度传感器RT2与恒温槽之间存在0.5~2mm的间隙。

更进一步地,所述间隙为开设于第二PCB板上的间隙槽。

作为一种优选,所述间隙的距离为1mm。

作为一种优选,所述功率管为2个,分别位于恒温槽外壁的两对侧。

进一步具体地,所述恒温槽包括与第二PCB板连接的槽体,以及配合槽体和第二PCB板将槽内空间封闭的盖板。

进一步具体地,所述控温电路包括反相输入端与温度传感器RT1连接的运算放大器U1,连接于运算放大器U1反相输入端与电源VREF之间的电阻R5,依次串联后与电阻R5并联的电阻R7和电阻R9,连接于运算放大器U1同相输入端与电源VREF之间的电阻R3,一端与运算放大器U1同相输入端连接且另一端接地的电阻R4,以及两端分别与运算放大器U1反相输入端和输出端连接的电阻R13,其中,功率管与运算放大器U1输出端连接,电源VREF通过电阻R10为运算放大器U1供电,所述温度传感器RT2一端接地且另一端连接于电阻R7和电阻R9之间。

更进一步地,所述功率管包括一端与运算放大器U1输出端连接的电阻R2,基极与电阻R2另一端连接且集电极接地的三极管Q1,以及连接于三极管Q1发射极与电源VCC之间的电阻R1;

或者,所述功率管包括一端与运算放大器U1输出端连接的电阻R12,基极与电阻R12另一端连接且集电极接地的三极管Q2,以及连接于三极管Q2发射极与电源VCC之间的电阻R11。

与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:

(1)本实用新型通过两个温度传感器感应恒温槽的温度,其中RT1感应恒温槽内部温度,其控温点设置晶体谐振器的拐点附近,RT2感应恒温槽外部的环境温度变化,其控温点设在温度变化范围的中心值,利用两个温度传感器之间的温度梯度来达到精密控制晶体振荡电路的恒温温度,使恒温槽的温度控制精度能够达到千分之几度,有效提高了恒温晶振的温度稳定度,具有实质性特点和进步,并且本实用新型结构简单,设计合理,调试简单,使用灵活,具有广泛的市场应用前景,适合推广应用。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都世源频控技术有限公司,未经成都世源频控技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420335929.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top