[实用新型]一种测试结构有效

专利信息
申请号: 201420351586.1 申请日: 2014-06-27
公开(公告)号: CN203909144U 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 盛亚;姚晓芳 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;H01L23/544
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 100176 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 测试 结构
【权利要求书】:

1.一种测试结构,其特征在于,所述测试结构至少包括:

分别包含信号焊盘和至少一个接地焊盘的第一、第二测试结构;所述接地焊盘彼此电连接;

漏极和栅极分别电连接于所述第一、第二测试结构的信号焊盘的MOS结构;

至少一个直流焊盘;

所述测试结构包含一个所述直流焊盘时,所述MOS结构的基极电连接于该直流焊盘,其源极电连接于所述接地焊盘;

所述测试结构包含两个所述直流焊盘时,所述MOS结构的基极和源极分别电连接于该两个直流焊盘或者其源极电连接于所述接地焊盘并且其基极和深N阱分别电连接于该两个直流焊盘;

所述测试结构包含三个所述直流焊盘时,所述MOS结构的基极和深N阱分别电连接于其中两个所述直流焊盘,其源极电连接于另一所述直流焊盘。

2.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于:所述第一、第二测试结构分别包括两个所述接地焊盘;所述第一、第二测试结构中的所有接地焊盘电连接并且分别组成所述第一、第二测试结构的接地焊盘、信号焊盘以及接地焊盘依次呈线性分布;所述第一测试结构中的所有焊盘与所述第二测试结构中的所有焊盘呈2×3矩阵分布。

3.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于:所述测试结构中的直流焊盘为两个时,所述两个直流焊盘位于所述第一、第二测试结构的同一侧。

4.根据权利要求2所述的测试结构,其特征在于:所述测试结构中的直流焊盘为两个时,所述两个直流焊盘分别位于所述第一、第二测试结构的两侧。

5.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于:所述第一或第二测试结构包括两个所述接地焊盘。

6.根据权利要求5所述的测试结构,其特征在于:所述第一或第二测试结构的接地焊盘与该第一或第二测试结构中的信号焊盘以及接地焊盘依次呈线性分布,并且该第一或第二测试结构中的接地焊盘彼此电连接。

7.根据权利要求6所述的测试结构,其特征在于:当所述第二测试结构中包括两个所述接地焊盘时,所述测试结构的所述直流焊盘为一个,并且该直流焊盘与所述第一测试结构的信号焊盘以及接地焊盘依次呈线性分布。

8.根据权利要求1所述的测试结构,其特征在于:所述MOS结构包括N型MOS管、P型MOS管以及射频MOS结构。

9.根据权利要求8所述的测试结构,其特征在于:所述MOS结构的栅极端和漏极分别输入的信号为直流信号和高频交流信号。

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