[实用新型]一种测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种测试结构，特别是涉及一种测试射频器件输出阻抗的测试结构。

背景技术

在集成电路的切换电路应用中，MOS结构的栅极电压通常被设置在0偏压附近，而在栅极偏压下的输出阻抗对于器件特性的研究则更为重要，所谓的输出阻抗一般包括MOS结构中漏极和源极之间以及漏极和基极之间在高频交流信号下的电容输出阻抗。

现有技术中的地-信号-地(GSG)测试结构可对半导体装置进行射频和微波特征的两端口的基础IV测试(S参数)的测量，其结构如图1所示，该结构中有六个焊盘，该六个焊盘呈2×3矩阵分布，每行中的焊盘依次为：接地焊盘11、信号焊盘10以及接地焊盘11；六个焊盘中的所有接地焊盘都彼此连接在一起。如果用该装置测试射频MOS结构的输出阻抗，图1中的所述MOS结构的漏极(D端)和栅极(G端)分别连接于不同的信号焊盘10，而其基极(B端)和源极(S端)则分别接至不同的接地焊盘11，也就导致B端和S端连接在了一起，由于B端和S端不能分开，因此不能在B端和S端之间施加变化的偏压来测量S端和D端之间的输出阻抗。

而现有技术中如图2所示的四个直流焊盘20可以将MOS结构四个端(G端、S端、D端以及B端)分开并分别连接至不同的焊盘上，所述直流焊盘只用以输入直流信号。其中B端和S端虽然可分开连接，但是只能用于测试直流信号下的器件参数，没有高频交流信号的输入端，因此，该直流焊盘组成的测试结构也不能用于实现射频MOS结构在高频交流信号下的的输出阻抗的测试。

如图3所示，表示的是现有技术中的地-信号-地-信号-地(GSGSG)测试结构，该测试结构中的焊盘呈2行分布，每行中包含由2个信号焊盘与3个接地焊盘，其中每行中的接地焊盘30与信号焊盘31间隔排布。该GSGSG测试结构如果用来测试射频MOS结构的输出阻抗，则可以将MOS结构的四个端都连接于不同的信号焊盘，其中信号焊盘用来输入高频交流信号。该测试结构可以用来测试高频交流信号下的射频MOS结构的输出阻抗，然而现有技术中的GSGSG测试结构占用较大的版图面积，导致不能很好的利用晶圆面积而使得资源浪费的问题。

因此，为了克服现有技术中晶圆器件占用大面积而造成资源浪费，有必要提出一种新的测试结构来简单有效地实现高频交流信号下对射频MOS结构的输出阻抗的测试。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于射频器件输出阻抗的测试结构，用于解决现有技术中利用GSGSG测试结构导致严重浪费晶圆面积的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种测试结构，所述测试结构至少包括：分别包含信号焊盘和至少一个接地焊盘的第一、第二测试结构；所述接地焊盘彼此电连接；漏极和栅极分别电连接于所述第一、第二测试结构的信号焊盘的MOS结构；至少一个直流焊盘；所述测试结构包含一个所述直流焊盘时，所述MOS结构的基极电连接于该直流焊盘，其源极电连接于所述接地焊盘；所述测试结构包含两个所述直流焊盘时，所述MOS结构的基极和源极分别电连接于该两个直流焊盘或者其源极电连接于所述接地焊盘并且其基极和深N阱分别电连接于该两个直流焊盘；所述测试结构包含三个所述直流焊盘时，所述MOS结构的基极和深N阱分别电连接于其中两个所述直流焊盘，其源极电连接于另一所述直流焊盘。

作为本实用新型的测试结构的一种优选方案，所述第一、第二测试结构分别包括两个所述接地焊盘；所述第一、第二测试结构中的所有接地焊盘电连接并且分别组成所述第一、第二测试结构的接地焊盘、信号焊盘以及接地焊盘依次呈线性分布；所述第一测试结构中的焊盘与所述第二测试结构中的焊盘呈2×3矩阵分布。

作为本实用新型的测试结构的一种优选方案，所述测试结构中的直流焊盘为两个时，所述两个直流焊盘位于所述第一、第二测试结构的同一侧。

作为本实用新型的测试结构的一种优选方案，所述测试结构中的直流焊盘为两个时，所述两个直流焊盘分别位于所述第一、第二测试结构的两侧。

作为本实用新型的测试结构的一种优选方案，所述第一或第二测试结构包括两个所述接地焊盘。

作为本实用新型的测试结构的一种优选方案，所述第一或第二测试结构的接地焊盘与该第一或第二测试结构中的信号焊盘以及接地焊盘依次呈线性分布，并且该第一或第二测试结构中的接地焊盘彼此电连接。