[实用新型]一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池

权利要求书

1.一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池，自下而上包括背面Ag电极、Al背场、P型Si基片、N+层、SiNx减反膜层、Ag副栅线和Ag主栅线，其特征在于，还包括透明导电薄膜层，所述的透明导电薄膜层位于Ag副栅线之间，所述SiNx减反膜层之上，与所述Ag副栅线间留有缝隙。

2.根据权利要求1所述的一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述的透明导电薄膜层与Ag副栅线间的缝隙宽度为10~30nm。

3.根据权利要求1或2所述的一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述的透明导电薄膜层的厚度为20~40nm。

4.根据权利要求1或2所述的一种低电极电阻的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述的透明导电薄膜层为ITO、AZO、ZnO或IMO薄膜。