[实用新型]一种薄膜晶体管阵列基板以及显示器有效
| 申请号： | 201420360356.1 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN203910800U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李林;胡君文;王雨宁;张泽鹏;庄崇营;何基强 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 516600 广东省汕尾*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 以及 显示器 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
显示区、走线区以及绑定区；
所述显示区设置有：薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管栅极连接的扫描线；与所述薄膜晶体管源极连接的数据线；与所述薄膜晶体管漏极连接的像素电极；与所述像素电极相对设置的通用电极线；
所述绑定区包括驱动电路绑定区；
所述走线区设置有多条金属走线，所述多条金属走线表面覆盖有钝化层，用于防止所述金属走线氧化；
其中，所述扫描线、数据线、像素电极以及通用电极线分别通过对应的金属走线连接至所述驱动电路绑定区；所述钝化层表面设置有切割保护层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述切割保护层为金属层。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述金属层为ITO薄膜层。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述金属层的厚度范围是50nm-100nm，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述切割保护层为绝缘层。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层或是氮化硅层。
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述绝缘层厚度范围是400nm-600nm，包括端点值。
8.一种显示器，其特征在于，包括：
相对设置的薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板；
设置在所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的显示介质层；
其中，所述薄膜晶体管阵列基板为权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
9.根据权利要求8所述的显示器，其特征在于，所述显示介质层为液晶层。
10.根据权利要求9所述的显示器，其特征在于，所述显示器为平面转换型(IPS)液晶显示器，或边缘场切换型(FFS)液晶显示器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
