[实用新型]一种薄膜晶体管阵列基板以及显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示装置技术领域，更具体地说，涉及一种薄膜晶体管阵列基板以及显示器。

背景技术

信息化社会越来越需要轻型超薄便于携带的显示设备，而当前最成熟的产品就是薄膜晶体管液晶显示器。

参考图1与图2，图1为现有薄膜晶体管液晶显示器包括：相对设置的薄膜晶体管阵列基板11与彩膜基板12，设置在所述薄膜晶体管阵列基板11与所述彩膜基板12之间的液晶层。所述薄膜晶体管阵列基板1包括显示区111、走线区112以及绑定区113。

所述显示区111设置有阵列排布于基板上的薄膜晶体管(TFT)、像素电极、扫描线、数据线以及通用电极线等电路结构。其中，扫描线与TFT的栅极连接，用于提供扫描信号，打开TFT；数据线与TFT的源极连接，可通过TFT将信号传输至像素电极，为像素电极提供数据信号；像素电极接收到数据信号后，获得一定电位时，其与通用电极线建立电场，通过所述电场控制液晶分子的转向，进而控制像素显示；通用电极线与像素电极一起形成存储电容，所述存储电容用于维持像素电极的电位持续时间，一直到下一个像素点亮。

所述像素电极、扫描线、数据线以及通用电极线通过设置在所述走线区112的对应金属走线与设置在所述绑定区113的驱动电路13连接，所述驱动电路13通过柔性电路板(FPC)与位于晶体管阵列基板111背面的电路主板连接。在批量生产过程中，阵列基板以及彩膜基板均是采用大块基板贴合以后通过切割形成多个半成品的薄膜晶体管液晶显示器，此时，彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板的大小相同，然后再对彩膜基板沿着切割线14进行切割，露出所述绑定区113，在所述绑定区113绑定与走线区112金属走线连接的驱动电路3，并通过与驱动电路13连接的柔性电路板与所述电路主板连接，从而形成成品的薄膜晶体管液晶显示器。

但是，现有的薄膜晶体管液晶显示器在沿着切割线进行切割时，会导致金属走线造成损伤。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板以及显示器。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板包括：

显示区、走线区以及绑定区；

所述显示区设置有：薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管栅极连接的扫描线；与所述薄膜晶体管源极连接的数据线；与所述薄膜晶体管漏极连接的像素电极；与所述像素电极相对设置的通用电极线；

所述绑定区包括驱动电路绑定区；

所述走线区设置有多条金属走线，所述多条金属走线表面覆盖有钝化层，用于防止所述金属走线氧化；

其中，所述扫描线、数据线、像素电极以及通用电极线分别通过对应的金属走线连接至所述驱动电路绑定区；所述钝化层表面设置有切割保护层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述切割保护层为金属层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述金属层为ITO薄膜层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述金属层的厚度范围是50nm-100nm，包括端点值。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述切割保护层为绝缘层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述绝缘层为二氧化硅层或是氮化硅层。

优选的，在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述绝缘层厚度范围是400nm-600nm，包括端点值。

本实用新型还提供了一种显示器，该显示器包括：

相对设置的薄膜晶体管阵列基板与彩膜基板；

设置在所述薄膜晶体管阵列基板与所述彩膜基板之间的显示介质层；

其中，所述薄膜晶体管阵列基板为上述任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

优选的，在上述显示器中，所述显示介质层为液晶层。

优选的，在上述显示器中，所述显示器为平面转换型(IPS)液晶显示器，或边缘场切换型(FFS)液晶显示器。

从上述技术方案可以看出，本实用新型所提供的薄膜晶体管阵列基板在所述钝化层表面设置有所述切割保护层，在制备显示其过程中对彩膜基板进行切割时，所述切割保护层能够对位于所述走线区的金属走线进行保护，防止其受到损伤。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。