[实用新型]发射电极扫描电路、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种发射电极扫描电路，其特征在于，包括多个级联的子扫描电路，每一个子扫描电路包括移位寄存单元、扫描信号生成单元和驱动输出单元；其中： 

所述移位寄存单元，用于对接收到的起始信号进行移位得到下一级子扫描电路的起始信号以及发射电极驱动控制信号，并将下一级子扫描电路的起始信号输出到下一级子扫描电路的移位寄存单元，将得到的发射电极驱动控制信号输出到所述扫描信号生成单元； 

所述扫描信号生成单元，与发射电极驱动信号线相连，用于根据从所述移位寄存单元接收到的发射电极驱动控制信号和从所述发射电极驱动信号线接收到的发射电极驱动信号生成发射电极扫描信号，并将得到的发射电极扫描信号输入到所述驱动输出单元的扫描信号输入端； 

所述驱动输出单元，用于将接收到的发射电极扫描信号的高电平转换为发射电极驱动高电平，将所述发射电极扫描信号的低电平转换为发射电极驱动高电平，并输出到发射电极。 

2.如权利要求1所述的发射电极扫描电路，其特征在于，所述移位寄存单元还用于将发射电极驱动控制信号的反相信号输出到所述扫描信号生成单元； 

所述扫描信号生成单元包括五个薄膜场效应晶体管，其中第一薄膜场效应晶体管和第二薄膜场效应晶体管为P沟道型薄膜场效应晶体管，第三薄膜场效应晶体管、第四薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管为N沟道型薄膜场效应晶体管；并且， 

第一薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号的反相信号；第一薄膜场效应晶体管的源极接入偏置高电平，漏极与第二薄膜场效应晶体管的源极相连；第五薄膜场效应晶体管的源极与所述扫描信号生成单元的输出端相连，漏极接入 偏置低电平； 

第二薄膜场效应晶体管和第四薄膜场效应晶体管的栅极均与发射电极驱动信号线相连；第二薄膜场效应晶体管的漏极连接到所述扫描信号生成单元的输出端；第四薄膜场效应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极接入第三薄膜场效应晶体管的源极； 

第三薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号，漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连。 

3.如权利要求1所述的发射电极扫描电路，其特征在于， 

所述移位寄存单元还用于将发射电极驱动控制信号的反相信号输出到所述扫描信号生成单元； 

所述扫描信号生成单元包括五个薄膜场效应晶体管，其中第一薄膜场效应晶体管和第二薄膜场效应晶体管为P沟道型薄膜场效应晶体管，第二薄膜场效应晶体管、第三薄膜场效应晶体管、第四薄膜场效应晶体管为N型沟道薄膜场效应晶体管；并且， 

第一薄膜场效应晶体管和第三薄膜场效应晶体管的栅极均与发射电极驱动信号线相连；第一薄膜场效应晶体管的源极接入偏置高电平，漏极与第二薄膜场效应晶体管的源极相连；第三薄膜场效应晶体管的源极与第四薄膜场效应晶体管的源极相连，漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连； 

第二薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号的反相信号；第二薄膜场效应晶体管的漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连；第五薄膜场效应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连； 

第四薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号，源极接入偏置低电平。 

4.如权利要求1所述的发射电极扫描电路，其特征在于， 

所述扫描信号生成单元包括一个与非门和一个反相器；所述与非 门的一个输入端与发射电极驱动信号线相连，另一输入端接入发射电极驱动控制信号，输出端接入到反相模块的输入端；反相模块的输出端接入到所述扫描信号生成单元的输出端。 

5.如权利要求4所述的发射电极扫描电路，其特征在于，所述驱动输出单元包括：两个传输门， 

其中，第一传输门的正控制端、第二传输门的负控制端均接入发射电极扫描信号；第一传输门的负控制端和第二传输门的正控制端均接入发射电极扫描信号的反相信号； 

第一传输门和第二传输门的输出端均与所述发射电极相连；第一传输门的电压输入端连接到发射电极驱动低电平，第二传输门的电压输入端接入发射电极驱动高电平。