[实用新型]发射电极扫描电路、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种发射电极扫描电路、阵列基板和显示装置。 

背景技术

嵌入式触摸屏面板(In-Cell TSP)技术是目前TSP技术发展的重要方向。在In-Cell TSP中，通常使用最上层的公共电极(VCOM ITO)作发射(TX)电极，而传统设计中VCOM ITO上的TX驱动信号是外部驱动IC通过位于Seal区域的扇出结构(Fan-out)加入的(参见图1)。 

随着面板(Panel)尺寸增大，TX电极数量将增多，则TX Fan-out的布置需要更多空间。因此，采用Fan-out方式的TX电极，受封框胶(Seal)区域宽度等影响，限制了In-Cell技术在大尺寸和窄边框Panel上的应用。另外TX Fan-out位于阵列基板栅极集成驱动电路(GOA)上方或下方，信号串扰造成TX电极和GOA相互影响，带来触摸(Touch)和Panel显示的可靠性问题。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提出一种能够集成到阵列基板上的发射电极扫描电路，从而实现面板的窄边化，并减少与GOA之间的串扰。 

为了达到上述目的，本实用新型提供了一种发射电极扫描电路，包括多个级联的子扫描电路，每一个子扫描电路包括移位寄存单元、扫描信号生成单元和驱动输出单元；其中： 

所述移位寄存单元，用于对接收到的起始信号进行移位得到下一级子扫描电路的起始信号以及发射电极驱动控制信号，并将下一级子扫描电路的起始信号输出到下一级子扫描电路的移位寄存单元，将得到的发射电极驱动控制信号输出到所述扫描信号生成单元； 

所述扫描信号生成单元，与发射电极驱动信号线相连，用于根据从所述移位寄存单元接收到的发射电极驱动控制信号和从所述发射电极驱动信号线接收到的发射电极驱动信号生成发射电极扫描信号，并将得到的发射电极扫描信号输入到所述驱动输出单元的扫描信号输入端； 

所述驱动输出单元，用于将接收到的发射电极扫描信号的高电平转换为发射电极驱动高电平，将所述发射电极扫描信号的低电平转换为发射电极驱动高电平，并输出到发射电极。 

进一步的，所述移位寄存单元还用于将发射电极驱动控制信号的反相信号输出到所述扫描信号生成单元； 

所述扫描信号生成单元包括五个薄膜场效应晶体管，其中第一薄膜场效应晶体管和第二薄膜场效应晶体管为P沟道型薄膜场效应晶体管，第三薄膜场效应晶体管、第四薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管为N沟道型薄膜场效应晶体管；并且， 

第一薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号的反相信号；第一薄膜场效应晶体管的源极接入偏置高电平，漏极与第二薄膜场效应晶体管的源极相连；第五薄膜场效应晶体管的源极与所述扫描信号生成单元的输出端相连，漏极接入偏置低电平； 

第二薄膜场效应晶体管和第四薄膜场效应晶体管的栅极均与发射电极驱动信号线相连；第二薄膜场效应晶体管的漏极连接到所述扫描信号生成单元的输出端；第四薄膜场效应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极接入第三薄膜场效应晶体管的源极； 

第三薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号，漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连。 

进一步的，所述移位寄存单元还用于将发射电极驱动控制信号的反相信号输出到所述扫描信号生成单元； 

所述扫描信号生成单元包括五个薄膜场效应晶体管，其中第一薄膜场效应晶体管和第二薄膜场效应晶体管为P沟道型薄膜场效应晶体管，第二薄膜场效应晶体管、第三薄膜场效应晶体管、第四薄膜场效应晶体管为N型沟道薄膜场效应晶体管；并且， 

第一薄膜场效应晶体管和第三薄膜场效应晶体管的栅极均与发射电极驱动信号线相连；第一薄膜场效应晶体管的源极接入偏置高电平，漏极与第二薄膜场效应晶体管的源极相连；第三薄膜场效应晶体管的源极与第四薄膜场效应晶体管的源极相连，漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连； 

第二薄膜场效应晶体管和第五薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号的反相信号；第二薄膜场效应晶体管的漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连；第五薄膜场效应晶体管的源极接入偏置低电平，漏极与所述扫描信号生成单元的输出端相连。 

第四薄膜场效应晶体管的栅极接入发射电极驱动控制信号，源极接入偏置低电平。