[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201420384443.0 | 申请日： | 2014-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN204289449U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王刚 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
光电二极管，所述光电二极管位于第一导电类型半导体衬底内的第二导电类型区域；
第一氧化层，所述第一氧化层位于所述第一导电类型半导体衬底的上表面上；
转移管的栅极区域，所述转移管的栅极区域位于所述第一导电类型半导体衬底的上表面并且对应于转移管的沟道区区域；
第二氧化层，所述第二氧化层位于所述转移管的栅极区域的表面；
第一电极部，所述第一电极部部分地覆盖对应于所述转移管的栅极区域表面的第二氧化层，并且对应于光电二极管的区域部分铺设于半导体衬底上表面的绝缘层上；以及
浮置扩散区域，所述浮置扩散区域采用第二导电类型重掺杂，并且位于所述第一导电类型半导体衬底的内部。
2.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：
光电二极管，所述光电二极管位于第一导电类型半导体衬底内的第二导电类型区域；
第一氧化层，所述第一氧化层位于所述第一导电类型半导体衬底的上表面上；
第一电极部，所述第一电极部位于所述第一氧化层的上表面并且对应于光电二极管的区域；
第二氧化层，所述第二氧化层位于所述第一电极部的表面；
转移管的栅极区域，所述转移管的栅极区域部分地覆盖于对应于所述第一电极部表面的第二氧化层，并且对应于转移管的沟道区区域部分铺设于半导体衬底上表面的绝缘层上；以及
浮置扩散区域，所述浮置扩散区域采用第二导电类型重掺杂，并且位于所述第一导电类型半导体衬底的内部。
3.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述图 像传感器还包括第一导电类型隔离层，所述第一导电类型隔离层位于所述第一导电类型半导体衬底的内部，并且位于所述光电二极管的区域的上部。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二氧化层包裹于所述转移管的栅极区域。
5.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第二氧化层包裹于所述第一电极部。
6.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述转移管的栅极区域包括：栅氧化层和覆盖于所述栅氧化层的栅电极层。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述栅电极层为多晶硅、金属或可导电的化合物。
8.根据权利要求1或2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述第二导电类型区域作为光生载流子的收集区，其中所述光生载流子为电子或空穴。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述第一电极部为多晶硅、金属或可导电的化合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
