[实用新型]一种靶材组件

说明书

技术领域

本实用新型涉磁控溅射技术领域，特别涉及一种靶材组件。

背景技术

磁控溅射是指在电场作用下电子与氩原子发生碰撞，并且电离出氩离子和新的电子，氩离子在电场加速运动撞击阴极靶材，发生溅射。溅射粒子沉积在基底表面形成薄膜。磁场可以改变电子的运动方向，束缚并延长了电子运动的轨迹，使电子对氩离子的电离以及对靶材的撞击更加有效。磁控溅射可以在低温条件下进行，并且高速运动的粒子提高了溅射效率。

目前，用于磁控溅射矩形平面靶材镀制薄膜过程中，通常会形成长圆形的蚀刻环路，该蚀刻环路包括中部的直线部及两端的弧形部。在相同使用功率条件下，不同区域的磁场分布不均匀，例如，在靶材的中部磁场强度小于靶材两端的磁场密度，从而使得蚀刻环路的弧形部的蚀刻深度远大于直线部的蚀刻深度，导致当蚀刻环路的弧形部已经贯穿而需要更换靶材时，靶材的蚀刻环路的直线部仍远未充分利用，从而降低了靶材使用效率，提高了生产成本。

实用新型内容

提供一种可使磁场分布均匀，从而提升靶材蚀刻均匀度的靶材组件。

一种靶材组件，包括靶材、导磁片、背板及承载板，所述靶材与承载板层叠设置于所述背板的两侧，所述承载板设有承载板顶面，所述导磁片设有导磁片顶面，所述导磁片的导磁片顶面与所述承载板的承载板顶面平齐，且所述导磁片顶面贴紧所述背板。

进一步的，所述承载板采用非导磁材料制成，所述导磁片采用高导磁性材料制成。

进一步的，所述承载板采用非导磁不锈钢制成，所述导磁片采用稀土材料制成。

进一步的，所述矩形平面靶材包括设置于中部的平行区域及设置于平行区域端部且临近所述靶材端部的弧形区域，所述导磁片对应所述矩形平面靶材的弧形区域设置。

进一步的，所述背板采用无氧铜背板或者钼背板。

进一步的，所述靶材与背板之间设有连接层，所述连接层用于将所述靶材与背板相互连接。

进一步的，所述连接层铟金属粘结层或银金属粘结层。

本实用新型的靶材组件于承载板中设置导磁片。进行磁控溅射时，通过增强导磁片处的导磁性，使磁场分布均匀，从而获取适用的区域蚀刻效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型较佳实施方式提供的一种靶材组件在正视图下的剖面示意图；

图2是本实用新型较佳实施方式提供的靶材组件的靶材的俯视图；

图3是本实用新型较佳实施方式提供的靶材组件的承载板及导磁片的俯视图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1至图3，本实用新型较佳实施方式提供一种靶材组件10，包括靶材11、导磁片13、背板15及承载板17。所述靶材11与承载板17层叠设置于所述背板15的两侧，所述导磁片13嵌于所述承载板17中。本实用新型的靶材11组件10放置于磁控溅射工艺腔室内阴极座表面，用于交流/直流磁控溅射工艺。

如图2所示，在本实施例中，所述靶材11为矩形平面靶材，在磁控溅射镀膜过程中，靶材11表面形成长圆形的蚀刻环路110。所述蚀刻环路110为封闭状，其包括中部的直线部及直线部两端且邻近所述靶材11端部的弧形部。其中所述直线部的相应位置为矩形平面靶材11的平行区域111，所述弧形部的相应位置为矩形平面靶材11的弧形区域113。所述靶材11为一体成型或者是由多块较小的子靶材拼接而成。

请一并参见图3，所述导磁片13用于增强其设置位置处的导磁性。在本实施例中，所述导磁片13连接于所述承载板17并对应所述靶材11的弧形区域113设置。在本实施例中，所述导磁片13采用具有高导磁性材料制成，如稀土材料及所述稀土材料所制成的合金。