[实用新型]一种高光密度高功率LED装置有效
| 申请号： | 201420402694.7 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN203967123U | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张伟;肖亮 | 申请（专利权）人： | 广州市添鑫光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为 |
| 地址： | 510800 广东省广州市花都区新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光密度 功率 led 装置 | ||
1.一种高光密度高功率LED装置，包括散热基板和LED发光芯片，其特征在于：所述散热基板上表面的中心区域设有绝缘导热基板，所述绝缘导热基板的上表面设有所述LED发光芯片，所述绝缘导热基板的上表面还设有与所述LED发光芯片电连接的金属触片，所述散热基板上表面在中心区域的周围设有绝缘基板，所述绝缘基板与所述绝缘导热基板之间具有间隙，所述绝缘基板上表面设有金属线路层，所述金属线路层上表面设有油漆层，所述油漆层上设有与所述金属线路层电连接的电路引出位，所述绝缘导热基板上表面的金属触片通过电路连接线与所述电路引出位电连接。
2.如权利要求1所述的高光密度高功率LED装置，其特征在于：所述LED发光芯片通过第一共晶层共晶焊接连接在所述绝缘导热基板上表面，所述绝缘导热基板通过第二共晶层共晶焊接连接在所述散热基板上表面。
3.如权利要求2所述的高光密度高功率LED装置，其特征在于：所述电路引出位和金属触片均分别有多个，所述电路连接线有多条，所述电路引出位、金属触片和电路连接线的数量均相同，所述的多个电路引出位均匀分布在所述LED发光芯片的周围，所述的多个金属触片分布在所述的多个电路引出位的周围，且各金属触片通过一所述电路连接线垂直连接一所述电路引出位。
4.如权利要求2所述的高光密度高功率LED装置，其特征在于：所述电路引出位有两个，所述金属触片有四个，所述电路连接线有四条，所述的两个电路引出位、四个金属触片和四条电路连接线均位于所述LED发光芯片的同一侧，各所述电路引出位通过两条电路连接线连接至两个金属触片，所述的两个电路引出位位于同一水平线上，所述的四个金属触片位于同一水平线上，所述的两个电路引出位所在水平线与所述的四个金属触片所在水平线平行，各所述电路连接线的长度相同。
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