[实用新型]一种高光密度高功率LED装置有效
申请号: | 201420402694.7 | 申请日: | 2014-07-21 |
公开(公告)号: | CN203967123U | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 张伟;肖亮 | 申请(专利权)人: | 广州市添鑫光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人: | 黄为 |
地址: | 510800 广东省广州市花都区新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光密度 功率 led 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种大功率LED技术领域,尤其涉及一种高光密度高功率LED装置。
背景技术
现有高光密度高功率LED产品(10瓦以上产品每平方毫米功率可以超过5瓦)采用铜板上通过导电银浆固定垂直热电一体LED发光芯片,用以实现LED芯片电气连接,以及提供散热通道。此种技术制作的LED光源热电不分离,光源安装后还需要进行二次绝缘处理,使得灯具制作难度提升;所有LED发光芯片只能够以并联的方式连接,电压只有LED芯片电压,也就是4V左右,电流则需要达到20安培或者更高,电源制作成本上升,产品安全性降低。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种高光密度高功率LED装置,既能高效散热,又能实现LED发光芯片的热电分离,从而能够在LED发光芯片之间实现串、并连接,使得同等功率降低使用电流四分之三以上,从而降低了电源制作成本,提高了产品的安全性能,且不需要进行二次绝缘处理,降低了灯具制作难度。
为实现上述目的,本实用新型提供一种高光密度高功率LED装置,包括散热基板和LED发光芯片,所述散热基板上表面的中心区域设有绝缘导热基板,所述绝缘导热基板的上表面设有所述LED发光芯片,所述绝缘导热基板的上表面还设有与所述LED发光芯片电连接的金属触片,所述散热基板上表面在中心区域的周围设有绝缘基板,所述绝缘基板与所述绝缘导热基板之间具有间隙,所述绝缘基板上表面设有金属线路层,所述金属线路层上表面设有油漆层,所述油漆层上设有与所述金属线路层电连接的电路引出位,所述绝缘导热基板上表面的金属触片通过电路连接线与所述电路引出位电连接。
通过在散热基板上设置绝缘导热基板,在绝缘导热基板上设置LED发光芯片,从而LED发光芯片的热量可以通过绝缘导热基板传导至散热基板进行高效散热,通过在散热基板上设置绝缘基板,在绝缘基板上设置金属线路层,在金属线路层上设置油漆层,在油漆层上设置电路引出位与金属线路层电连接,而电路引出位又通过电路连接线与绝缘导热基板上的金属触片电连接,绝缘导热基板上的金属触片又与LED发光芯片电连接,从而LED发光芯片可以通过电路连接线、电路引出位与金属线路层实现电的导通,而热绝缘导热基板和绝缘基板之间又有间隙,从而该高光密度高功率LED装置在保证高效散热的同时又实现了LED发光芯片电的导通,而且LED发光芯片的热和电彼此分离,从而能够在LED发光芯片之间实现串、并连接,使得同等功率降低使用电流四分之三以上,提升了电源转换效率,从而降低了电源制作成本,降低了产品使用成本,节约了能源的使用,提高了产品的安全性能,且不需要进行二次绝缘处理,简化了产品后期的制作工艺,降低了灯具制作难度。
作为本实用新型的进一步改进,所述LED发光芯片通过第一共晶层共晶焊接连接在所述绝缘导热基板上表面,所述绝缘导热基板通过第二共晶层共晶焊接连接在所述散热基板上表面。采用共晶焊接的方式使得LED发光芯片与绝缘导热基板连接,以及使得绝缘导热基板与散热基板连接,能够使得LED发光芯片和绝缘导热基板更加稳固,从而可以进一步保证高效散热。
作为本实用新型的更进一步改进,所述电路引出位和金属触片均分别有多个,所述电路连接线有多条,所述电路引出位、金属触片和电路连接线的数量均相同,所述的多个电路引出位均匀分布在所述LED发光芯片的周围,所述的多个金属触片分布在所述的多个电路引出位的周围,且各金属触片通过一所述电路连接线垂直连接一所述电路引出位。
作为本实用新型的更进一步改进,所述电路引出位有两个,所述金属触片有四个,所述电路连接线有四条,所述的两个电路引出位、四个金属触片和四条电路连接线均位于所述LED发光芯片的同一侧,各所述电路引出位通过两条电路连接线连接至两个金属触片,所述的两个电路引出位位于同一水平线上,所述的四个金属触片位于同一水平线上,所述的两个电路引出位所在水平线与所述的四个金属触片所在水平线平行,各所述电路连接线的长度相同。
通过以下的描述并结合附图,本实用新型将变得更加清晰,这些附图用于解释本实用新型的实施例。
附图说明
图1为本实用新型中的高光密度高功率LED装置实施例一的示意图。
图2为图1的侧视图。
图3为本实用新型中的高光密度高功率LED装置实施例二的示意图。
图4为图3的侧视图。
图5为本实用新型中的高光密度高功率LED装置实施例三的示意图。
图6为图5的侧视图。
图7为高光密度高功率LED装置的示意图。
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