[实用新型]薄膜晶体管基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括： 

一基板； 

多个薄膜晶体管单元，设置于该基板上且分别包括：一栅极绝缘层、一主动层、一源极及一漏极； 

一绝缘层，设置于所述薄膜晶体管单元上具有多个接触孔以分别显露所述薄膜晶体管单元的该漏极； 

一像素电极，设置于该绝缘层上且向所述接触孔延伸以与该漏极电性连接；以及 

一配向膜，覆盖该像素电极； 

其中所述接触孔的侧壁在一第一方向上分别具有一第一倾斜部且在一第二方向上分别具有一第二倾斜部，该第一方向与该第二方向不同，且该像素电极位于至少一所述第一倾斜部的坡度与位于至少一所述第二倾斜部的坡度不同。 

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中该第一方向与该第二方向间的夹角介于85至90度之间。 

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中该第一方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一扫描线间的夹角介于0至5度之间，该第二方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一资料线间的夹角介于0至5度之间，且该像素电极位于至少一所述第一倾斜部的坡度大于位于至少一所述第二倾斜部的坡度。 

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中所述接触孔分别具有一中间底部，该配向膜设于所述接触孔中，且设于所述接触孔的至少一所述中间底部的配向膜具有一多孔性结构。 

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中该多孔性结构中的孔洞孔径介于50nm至1000nm之间。 

6.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中该配向膜 设于所述接触孔中，且设于所述接触孔的侧壁上的该配向膜与设于该中间底部的该配向膜具有不同粗糙度。 

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中该绝缘层的一绝缘层表面的延伸线于该第一方向及该第二方向上分别与位于所述接触孔的该像素电极的一电极表面形成一第一接触点及一第二接触点，于该像素电极及该漏极间的一第一预定高度上位于所述第一倾斜部与所述第二倾斜部的该像素电极的该电极表面分别具有一第一相交点及一第二相交点，位于至少一所述第一倾斜部上的该像素电极的斜率为该第一接触点与该第一相交点的连线，位于至少一所述第二倾斜部上的该像素电极的斜率为该第二接触点与该第二相交点的连线，且该像素电极位于至少一所述第一倾斜部与至少一所述第二倾斜部的斜率不同。 

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中该第一方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一扫描线间的夹角介于0至5度之间，该第二方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一资料线间的夹角介于0至5度之间，且该像素电极位于至少一所述第一倾斜部的斜率大于位于至少一所述第二倾斜部的斜率。 

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中于该像素电极及该漏极间的一第二预定高度上，且该第二预定高度与该第一预定高度不同，位于至少一所述第一倾斜部在该第一预定高度及该第二预定高度下的该像素电极的曲率半径与位于至少一所述第二倾斜部在该第一预定高度及该第二预定高度下的该像素电极的曲率半径不同。 

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中该第一方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一扫描线间的夹角介于0至5度之间，该第二方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一资料线间的夹角介于0至5度之间，且位于至少一所述第一倾斜部在该第一预定高度及该第二预定高度下的该像素电极的曲率半径均小于位于至少一所述第二倾斜部在该第一预定高度及该第二预定高度下的该像素电极的曲率半径。 

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，其中该主动层的材料为IGZO。