[实用新型]薄膜晶体管基板有效
申请号: | 201420410804.4 | 申请日: | 2014-07-24 |
公开(公告)号: | CN204243040U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 徐旭宽;邱国豪;朱夏青;黄鹏丞;孙铭谦 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 | ||
技术领域
本实用新型是关于一种薄膜晶体管基板,尤指一种可改善显示面板漏光情形的薄膜晶体管基板。
背景技术
随着显示器技术不断进步,所有的装置均朝体积小、厚度薄、重量轻等趋势发展,故目前市面上主流的显示器装置已由以往的阴极射线管发展成液晶显示设备。特别是,液晶显示设备可应用的领域相当多,凡是日常生活中使用的手机、笔记本电脑、摄影机、照相机、音乐播放器、行动导航装置、电视等显示设备,大多数均使用液晶显示面板。
于现今所使用的液晶显示面板中,主要结构不外乎是通过设置于一薄膜晶体管基板上的薄膜晶体管单元控制液晶的转动,而达到显示面板呈现亮暗态的功效。然而,于薄膜晶体管单元上的漏极接触孔,却会因光线在孔内的反射,导致漏光的情形产生;而此漏光的情形却是造成显示面板显示效果降低的因素之一。
因此,为了达到提升显示面板显示效果的目的,各家厂商无不积极开发一种可减少漏光的显示面板,以符合消费者对于显示质量的要求。据此,目前亟需发展一种薄膜晶体管基板,当其应用于显示面板上时,可降低漏光的情形发生,而达到提升显示质量的目的。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是在提供一种薄膜晶体管基板,其能减少以此所制备的显示面板的漏光情形。
本实用新型提供一种薄膜晶体管基板,其特征在于,包括:
一基板;
多个薄膜晶体管单元,设置于该基板上且分别包括:一栅极绝缘层、一主动层、一源极及一漏极;
一绝缘层,设置于所述薄膜晶体管单元上具有多个接触孔以分别显露所述薄膜晶体管单元的该漏极;
一像素电极,设置于该绝缘层上且向所述接触孔延伸以与该漏极电性连接;以及
一配向膜,覆盖该像素电极;
其中所述接触孔的侧壁在一第一方向上分别具有一第一倾斜部且在一第二方向上分别具有一第二倾斜部,该第一方向与该第二方向不同,且该像素电极位于至少一所述第一倾斜部的坡度与位于至少一所述第二倾斜部的坡度不同。
其中该第一方向与该第二方向间的夹角介于85至90度之间。
其中该第一方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一扫描线间的夹角介于0至5度之间,该第二方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一资料线间的夹角介于0至5度之间,且该像素电极位于至少一所述第一倾斜部的坡度大于位于至少一所述第二倾斜部的坡度。
其中所述接触孔分别具有一中间底部,该配向膜设于所述接触孔中,且设于所述接触孔的至少一所述中间底部的配向膜具有一多孔性结构。
其中该多孔性结构中的孔洞孔径介于50nm至1000nm之间。
其中该配向膜设于所述接触孔中,且设于所述接触孔的侧壁上的该配向膜与设于该中间底部的该配向膜具有不同粗糙度。
其中该绝缘层的一绝缘层表面的延伸线于该第一方向及该第二方向上分别与位于所述接触孔的该像素电极的一电极表面形成一第一接触点及一第二接触点,于该像素电极及该漏极间的一第一预定高度上位于所述第一倾斜部与所述第二倾斜部的该像素电极的该电极表面分别具有一第一相交点及一第二相交点,位于至少一所述第一倾斜部上的该像素电极的斜率为该第一接触点与该第一相交点的连线,位于至少一所述第二倾斜部上的该像素电极的斜率为该第二接触点与该第二相交点的连线,且该像素电极位于至少一所述第一倾斜部与至少一所述第二倾斜部的斜率不同。
其中该第一方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一扫描线间的夹角介于0至5度之间,该第二方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一资料线间的夹角介于0至5度之间,且该像素电极位于至少一所述第一倾斜部的斜率大于位于至少一所述第二倾斜部的斜率。
其中于该像素电极及该漏极间的一第二预定高度上,且该第二预定高度与该第一预定高度不同,位于至少一所述第一倾斜部在该第一预定高度及该第二预定高度下的该像素电极的曲率半径与位于至少一所述第二倾斜部在该第一预定高度及该第二预定高度下的该像素电极的曲率半径不同。
其中该第一方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一扫描线间的夹角介于0至5度之间,该第二方向与和该薄膜晶体管单元电性连接的一资料线间的夹角介于0至5度之间,且位于至少一所述第一倾斜部在该第一预定高度及该第二预定高度下的该像素电极的曲率半径均小于位于至少一所述第二倾斜部在该第一预定高度及该第二预定高度下的该像素电极的曲率半径。
其中该主动层的材料为IGZO。
本实用新型还提供一种薄膜晶体管基板,其特征在于,包括:
一基板;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的