[实用新型]晶圆封装设备有效
申请号: | 201420423048.9 | 申请日: | 2014-07-29 |
公开(公告)号: | CN203998938U | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 陈彧;阎实 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是涉及一种晶圆封装设备。
背景技术
随着半导体技术的进步,集成电路元件的尺寸持续微缩化。同样的,在封装过程中,业内也希望晶圆的厚度能够降低,这样就能够在一个封装袋中容纳更多的芯片(die)。
基于这一需求,晶圆背部减薄工艺应运而生,这一工艺主要是在芯片切割之前,将晶圆通过背部减薄,达到所需的厚度。
但是,尽管晶圆的厚度变薄了,却随之而来了多种问题。请参考图1,晶圆1通过研磨后,从背部减去一定的厚度,获得了减薄后的晶圆2。不过由于晶圆本身的结构,其在边缘处是弧形,则减薄后边缘处变得尖锐,这种尖锐的结构很容易产生裂缝21,从而会引起进一步的恶化,例如破损等情况发生。
为了解决上述问题,如图2所示,在切割之前,需要首先在晶圆1的正面形成一层保护胶11(常称为BG tape),来保护晶圆的正面,然后进行背部减薄工艺,之后在晶圆1的背面形成一层附加膜12,例如可以是DAF(die attach film)层或者FOW(film over wire)层,接着在所述附加膜12上形成一层粘附层13,并在粘附层13上继续形成一层切割蓝膜(dicing tape)14。在经过上述膜层的形成后,利用滚筒对晶圆进行压片,使得这几层结合在一起。
但是在进行压片时,温度较高(通常是60°左右),这会使得附加膜12变软变松散,甚至流出(未图示)至承载台上,并与承载台粘附在一起。当压片完成后需要移出时,由于流出部分的附加膜与承载台的粘附,会对晶圆产生拉扯之力,从而导致晶圆产生裂缝、破碎等情况发生。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种晶圆封装设备,防止晶圆在封装时容易出现破损的情况发生。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种晶圆封装设备,包括:
切割腔室;
设置于所述切割腔室内的第一承载台;
设置于所述第一承载台上方用以切割晶圆边缘的切片刀;
压片腔室;
设置于所述压片腔室内的第二承载台;
设置于第二承载台上的不粘膜;以及
传送结构,所述晶圆通过所述传送机构在所述切割腔室以及压片腔室之间传递。
可选的,对于所述的晶圆封装设备,还包括设置于所述第一承载台上方的切片刀装载部,所述切片刀设置在切片刀装载部中。
可选的,对于所述的晶圆封装设备,所述切片刀为多个刀片,所述多个刀片呈圆周排列。
可选的,对于所述的晶圆封装设备,所述切片刀装载部为圆形,所述切片刀装载部上还包括活动机构,所述活动机构带动切片刀沿径向移动。
可选的,对于所述的晶圆封装设备,所述切片刀为圆筒状结构。
可选的,对于所述的晶圆封装设备,还包括设置于所述切割腔室内能够上下伸缩的伸缩部,所述伸缩部连接所述切片刀装载部。
可选的,对于所述的晶圆封装设备,所述不粘膜为圆环形结构。
可选的,对于所述的晶圆封装设备,所述不粘膜的厚度为5μm~7μm,宽度为3cm~5cm。
可选的,对于所述的晶圆封装设备,还包括设置于压片腔室内的位于所述第二承载台上方用以压片的一滚筒。
本实用新型提供的晶圆封装设备,包括切割腔室和压片腔室,切割腔室设置有切片刀,可以将晶圆边缘部分的弧形部分去除,从而避免了晶圆在减薄后出现尖锐边缘的情况,也就防止了裂纹、破碎等情况发生;而压片腔室中的第二承载台上表面有一不粘膜,使得附加膜流出后,不会与承载台粘附在一起,避免了对晶圆的拉扯,防止了晶圆的破损。
附图说明
图1为现有技术中晶圆被减薄后出现裂缝的示意图;
图2为在切割前晶圆正面和背面形成所需膜层后的结构示意图;
图3为本实用新型实施例中晶圆封装设备的结构示意图;
图4为本实用新型实施例中伸缩部的结构示意图
图5为本实用新型中的切片刀的一种结构示意图;
图6为本实用新型中的切片刀及活动机构的结构示意图;
图7为本实用新型中的切片刀的另一种结构示意图;
图8为本实用新型实施例中第二承载台的俯视图;
图9为本实用新型实施例中在压片时的状态示意图。
具体实施方式
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