[实用新型]抗干扰的红外截止型光敏传感器有效
| 申请号： | 201420444477.4 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN204101178U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 吴晓龙;吴胜 | 申请（专利权）人： | 吴晓龙 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01J1/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抗干扰 红外 截止 光敏 传感器 | ||
1.一种抗干扰的红外截止型光敏传感器，包括相对设置的阴极和阳极及树脂层，其特征在于：
所述阳极的顶面设置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片，所述硅光敏芯片的发射极电连接所述硅外延平面型NPN三极管芯片的基极，所述硅外延平面型NPN三极管芯片电连接所述阴极；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面与该光敏传感器的轴向方向不垂直。
2.如权利要求1所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器，其特征在于：所述阳极的顶面为倾向所述阴极的倾斜面。
3.如权利要求2所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器，其特征在于：所述阳极的顶面的倾斜度为5°～10°。
4.如权利要求1所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器，其特征在于：所述阳极的顶面为水平面，所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面为倾斜面。
5.如权利要求4所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器，其特征在于：所述硅光敏芯片的光敏面和硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面的倾斜度为5°～10°。
6.如权利要求1所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器，其特征在于：所述硅光敏芯片为硅光敏二极管芯片或者硅光敏三极管芯片。
7.如权利要求1所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器，其特征在于：所述树脂层为淡绿色或者黑色。
8.如权利要求1所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器，其特征在于：所述硅光敏芯片、硅外延平面型NPN三极管芯片和阴极依次通过金线电连接。
9.如权利要求1所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器，其特征在于：所述阳极和所述阴极的下部连接有绝缘支架。
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