[实用新型]抗干扰的红外截止型光敏传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及光通信技术领域，尤其是涉及具有抗反射光干扰的红外截止型光敏传感器。 

背景技术

光敏电阻是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，入射光变强时，其电阻减小，入射光变弱时，其电阻增大。光敏电阻一般用于光的测量、光的控制和光电转换等。现有技术的光敏电阻由基板、涂覆于整个基板表面的光敏层，以及光敏层上镀有的梳状电极及其电极引脚组成。而这些光敏层大多是含有硫化镉(CdS)，而硫化镉中的镉属于重金属，对人体和环境都具有很大的危害性。另外，在使用过程中容易受到环境光产生的红外线、反射光等的干扰，造成稳定性差、一致性不好的问题。为了解决上述的问题，企业采用多种方案来解决，其中多使用添加隔离器或者薄膜之类的来对光线进行发射和隔离，但是这样会降低芯片的光功率，而且其成本也较高，不能满足企业的真正需求。 

实用新型内容

本实用新型为了克服现有技术的不足，提供一种抗干扰的红外截止型光敏传感器，其目的是解决现有的光敏传感器环境污染大、抗红外光、发射光干扰能力差等的问题。 

为了解决上述的技术问题，本实用新型提出的基本解决方案为：一种抗干扰的红外截止型光敏传感器，包括相对设置的阴极和阳极及树脂层，所述阳 极的顶面设置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片，所述硅光敏芯片的发射极电连接所述硅外延平面型NPN三极管芯片的基极，所述硅外延平面型NPN三极管芯片电连接所述阴极；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面与该光敏传感器的轴向方向不垂直。 

本实用新型所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述阳极的顶面为倾向所述阴极的倾斜面。 

本实用新型所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述阳极的顶面的倾斜度为5°～10°。 

本实用新型所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述阳极的顶面为水平面，所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面为倾斜面。 

本实用新型所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述硅光敏芯片的光敏面和硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面的倾斜度为5°～10°。 

本实用新型所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述硅光敏芯片为硅光敏二极管芯片或者硅光敏三极管芯片。 

本实用新型所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述树脂层为淡绿色或者黑色。 

本实用新型所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述硅光敏芯片、硅外延平面型NPN三极管芯片和阴极依次通过金线电连接。 

本实用新型所述的抗干扰的红外截止型光敏传感器中，所述阳极和所述阴极的下部连接有绝缘支架。 

本实用新型的有益效果是： 

1、本实用新型利用光敏三极管放大原理，将硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片绑定在阳极的顶面，其电路简单，实现光电流放大效果以及解决了以往采用增益放大电路而造成成本高的问题。 

2、本实用新型将阳极的顶面设置为倾斜面或者将硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三极管芯片的光敏面设置成倾斜面，使得信号光以一定的入射角入射到接收芯片的光敏面上，当发射光经过光敏面反射后就不能沿原光路被发射回光纤，而是被反射到其他对反射无任何反应的其他地方，这一结构的设计很好的处理了原本难以控制的反射光，提高了光接收器的光回波损耗，适用于大批量生产和质量管。 

3、本实用新型采用黑色或者淡绿色的树脂层能够提高光敏传感器的抗红外干扰能力。 

附图说明

图1为本实用新型的具体实施例一的结构示意图； 

图2为本实用新型的具体实施例二的结构示意图。 

具体实施方式

以下将结合附图1和附图2对本实用新型做进一步的说明，但不应以此来限制本实用新型的保护范围。 

为了方便说明并且理解本实用新型的技术方案，以下说明所使用的方位词均以附图所展示的方位为准。