[实用新型]一种热工作台有效
申请号: | 201420453926.1 | 申请日: | 2014-08-13 |
公开(公告)号: | CN204067315U | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 杨飞 | 申请(专利权)人: | 杨飞 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 连平 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工作台 | ||
1.一种热工作台,其特征在于:包括由上到下依次连接的导热板、云母固定层、热源层、隔热层,所述导热板由导热陶瓷制成,所述云母固定层的外表面涂覆有无机胶,所述导热板通过无机胶固定于云母固定层的上表面,所述热源层通过无机胶固定于云母固定层的下表面,所述热源层由Cr20Ni80电热合金制成,所述热源层上蚀刻有热源线路,所述热源线路包括A相、B相、C相,所述A相、B相、C相通过星形接法相连接,所述隔热层由氧化铝纤维压合而成,其外表面通过氧化锆涂层硬化。
2.根据权利要求1所述的一种热工作台,其特征在于:所述导热陶瓷为氮化铝陶瓷。
3.根据权利要求2所述的一种热工作台,其特征在于:所述氮化铝陶瓷为氮化铝-氮化硅陶瓷。
4.根据权利要求1或2所述的一种热工作台,其特征在于:所述导热板的导热率为200W/mK。
5.根据权利要求1或2所述的一种热工作台,其特征在于:所述A相、B相、C相的相宽均为10mm,所述A相、B相、C相中每两相之间的电阻偏差小于1%,所述A相、B相、C相中每两相之间的间距为5mm。
6.根据权利要求1或2所述的一种热工作台,其特征在于:所述隔热层的导热率为0.15W/mK。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造