[实用新型]一种多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置有效
申请号: | 201420488089.6 | 申请日: | 2014-08-27 |
公开(公告)号: | CN204022996U | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 黄贤强;何建军;沈达军;杨红伟;张志杰;付龙;肖余琴 | 申请(专利权)人: | 浙江溢闳光电科技有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人: | 张向飞 |
地址: | 314302 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 铸锭 中的 防倒吸 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于机械技术领域,涉及一种多晶硅铸锭炉,特别是一种多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置。
背景技术
多晶硅铸锭是将多晶硅原料在铸锭炉内经历加热、熔化和退火等工艺阶段从固态到高温熔融后,再通过特殊工艺使原料定向冷凝结晶而生产出来。然而,实际刚生产所得到的多晶硅并无法能够达到指定的纯度,其具有一定含量的杂质,为了提高产品的质量和资源的利用率,需要通过一定的技术对处于熔融状态下的多晶硅进行提纯处理。
但是,在处理杂质的过程中往往会由于密封的提纯装置中存在空气压强差,而导致提纯装置内部出现倒吸杂物的现象,致使多晶硅的纯度降低。
所以,对于本领域内的技术人员,还有待研发出一种能够防止抽取的杂物再次倒吸入提纯炉中的装置是非常有必要的,以使多晶硅的纯度能够更高。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有的技术存在上述问题,提出了一种多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置,本防倒吸装置具有能够防止抽取出来的杂质被再次倒吸回炉体内的特点。
本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现:一种多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置,所述的多晶硅铸锭炉包括密闭的炉体,所述的炉体内固定有用于溶解多晶硅铸锭的坩埚,炉体与坩埚之间形成空腔,其特征在于,所述的炉体的侧壁上开设有通气孔一,所述的坩埚的侧壁上开设有通气孔二,通气孔一的一端与通气孔二之间通过连接管密封相连,通气孔一的另一端还通过真空管与一真空泵相连,本防倒吸装置设置在真空管上,包括单向阀、收集箱一和收集箱二,所述的单向阀设置在真空管上,所述的收集箱一通过安装管一与真空管相连通,安装管一与真空管之间的连接口处于通气孔一与单向阀之间,所述的收集箱二通过安装管二与真空管相连通,安装管二与真空管之间的连接口处于真空泵与单向阀之间。
本多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置的工作原理是这样的:首先,对坩埚在炉体内进行加热,多晶硅铸锭吸热化成熔融状态,杂质会漂浮到坩埚的最上层;然后,打开真空泵,通过真空管可对坩埚内熔融状态下的多晶硅铸锭进行吸收杂质;其次,由真空泵抽取出来的杂物在安装管一处通过收集箱一进行收集处理;最后,经过收集箱一后残留在真空管内的其余杂质流经单向阀,并通过收集箱二进行收集处理,从而达到除杂的目的。同时,单向阀保证了由于存在的压力差而导致杂物通过真空管被倒吸到坩埚内。
在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中,所述的安装管一与真空管之间设有密封垫一。密封垫一能进一步保证安装管一与真空管连接处的密封度。
在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中,所述的安装管二与真空管之间设有密封垫二。密封垫二能进一步保证安装管二与真空管连接处的密封度。
在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中,所述的安装管一和真空管之间的连接口与单向阀之间的间距为5~20cm。
在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中,所述的安装管二和真空管之间的连接口与单向阀之间的间距为5~20cm。
在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中,所述的真空管和连接管均采用钢质材料制成。作为高温气体、液体的输送管道,采用钢质材料耐腐蚀性强,耐热性好。
在上述的多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置中,所述的坩埚通过支撑架固定在炉体的内部,支撑架包括若干支撑脚和设置在支撑脚上的支撑板。通过支撑架能将坩埚支撑在炉体的空腔内,保证坩埚能够受热均匀且固定稳定。
与现有技术相比,本多晶硅铸锭炉中的防倒吸装置具有以下优点:
1、本实用新型通过收集箱一和收集箱二能够收集真空泵从坩埚抽取的杂质。
2、本实用新型通过单向阀能够防止抽取的杂质再次倒吸回流到坩埚中。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的正视结构示意图。
图中,1、炉体;2、坩埚;3、温度计;4、压力计;5、连接管;6、真空泵;7、单向阀;8、收集箱一;9、收集箱二;10、真空管;11、安装管一;12、安装管二;13、支撑架;13a、支撑脚;13b、支撑板。
具体实施方式
以下是本实用新型的具体实施例并结合附图,对本实用新型的技术方案作进一步的描述,但本实用新型并不限于这些实施例。
如图1所示,一种多晶硅铸锭炉中的提纯装置,包括密闭的炉体1,炉体1内固定有用于溶解多晶硅铸锭的坩埚2,炉体1与坩埚2之间形成空腔。
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