[实用新型]具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置有效

专利信息
申请号: 201420489903.6 申请日: 2014-08-28
公开(公告)号: CN204118733U 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 刘富荣;连伟华;李相成;李辉;王振邦;禄朋;朱慧丽 申请(专利权)人: 河南恩湃电力技术有限公司
主分类号: H02H9/08 分类号: H02H9/08
代理公司: 郑州金成知识产权事务所(普通合伙) 41121 代理人: 郭增欣
地址: 450016 河南省*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 具有 大功率 可控硅 新型 调匝消 弧线 装置
【权利要求书】:

1.一种具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置,包括接地变压器、阻尼电阻、阻尼箱、大功率可控硅,其特征是:所述阻尼箱为长方体结构,所述阻尼电阻、接地变压器、大功率可控硅均设置在阻尼箱内,所述接地变压器、大功率可控硅在所述阻尼电阻的下侧,所述接地变压器在所述大功率可控硅左侧。

2.根据权利要求1所述的具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置,其特征是:所述大功率可控硅为晶闸管连接成的自触发电路,包括晶闸管、电阻,所述晶闸管电阻均为两个,所述两个晶闸管反向并联,并具有两个外接线路,所述两个晶闸管的门极与外接线路对应连接,所述两个电阻分别设置在两个晶闸管的门极与外接线路之间。

3.根据权利要求2所述的具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置,其特征是:所述两个外接线路设置在阻尼电阻两侧。

4.根据权利要求1所述的具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置,其特征是:所述阻尼箱上侧设置有与消弧线圈连接的接口,所述阻尼箱下侧设置有接地线。

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