[实用新型]具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置

说明书

技术领域：

本实用新型涉及一种消弧线圈装置，特别是涉及一种具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置。

背景技术：

长期以来，我国6～66KV的配电网大多采用中性点不接地运行方式。这种运行方式，由于在单相接地时允许短时间内带故障运行，因而大大提高了系统的供电可靠性。但随着城乡电网的扩大及电缆出线的增多，系统对地电容电流的急剧增加，单相接地后流经故障点的电流较大，电弧不易熄灭，容易产生间隙性弧光接地过电压，同时由于电磁式电压互感器铁芯饱和时容易引起谐振过电压，导致事故跳闸率明显上升。

目前我国生产的预调式自动调节消弧线圈装置，大都在消弧线圈接地回路中串联一个阻尼电阻，并在阻尼电阻旁并联开关，如果电网的不对称电压不高，接地故障为金属性接地，采用在阻尼电阻旁并联开关，只要开关及其控制器能够可靠工作，一般不会出现很大的问题，但是电网的不对称电压有高有低，电网出现的故障更是多样性，如间歇性接地，高阻接地，断线不接地等等，这些故障给短接装置及其控制系统带来很大困难，以致出现烧毁线性阻尼电阻和短接装置的事故。

实用新型内容：

本实用新型所要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种简单实用，具有灭弧能力强，响应速度快等优点的具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置。

本实用新型的技术方案是：一种具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置，包括接地变压器、阻尼电阻、阻尼箱、大功率可控硅，所述阻尼箱为长方体结构，所述阻尼电阻、接地变压器、大功率可控硅均设置在阻尼箱内，所述接地变压器、大功率可控硅在所述阻尼电阻的下侧，所述接地变压器在所述大功率可控硅左侧。 

所述大功率可控硅为晶闸管连接成的自触发电路，包括晶闸管、电阻，所述晶闸管电阻均为两个，所述两个晶闸管反向并联，并具有两个外接线路，所述两个晶闸管的门极与外接线路对应连接，所述两个电阻分别设置在两个晶闸管的门极与外接线路之间。

所述两个外接线路设置在阻尼电阻两侧。

所述阻尼箱上侧设置有与消弧线圈连接的接口，所述阻尼箱下侧设置有接地线。

本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型在原有调匝消弧线圈装置上进行改进，把开关换成大功率可控硅，简化设备的同时，提高灭弧能力和响应速度，防止因对称电压、电网发生间歇性接地等因素造成阻尼电阻被烧毁，甚至引发更大的事故。 

2、本实用新型在阻尼电阻上并联大功率可控硅，通过设电阻的阻值可以改变消弧线圈的接地补偿启动电压值，实现晶闸管的自动触发，自触发方式使晶闸管不需要二次触发控制，保证了一次、二次侧的隔离，提高了安全性。 

3、本实用新型采用自触发方式比用开关短接阻尼电阻要快，因而提高了短接阻尼电阻的响应速度。

附图说明：

图1为具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置结构图。

图2为具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置电路简图。

图3为大功率可控硅电路图。

具体实施方式：

实施例：参见图1、图2和图3，图中，1-接口、2-阻尼箱、3-阻尼电阻、4-接地变压器、5-大功率可控硅、6-接地线。

具有大功率可控硅的新型调匝消弧线圈装置：包括接地变压器4、阻尼电阻3、阻尼箱2、大功率可控硅5，阻尼箱2为长方体结构，阻尼电阻3、接地变压器4、大功率可控硅5均设置在阻尼箱2内，接地变压器4、大功率可控硅5在阻尼电阻3的下侧，接地变压器4在大功率可控硅5左侧。 

大功率可控硅5为晶闸管连接成的自触发电路，包括晶闸管、电阻，晶闸管电阻均为两个，两个晶闸管反向并联，并具有两个外接线路，两个晶闸管的门极与外接线路对应连接，两个电阻分别设置在两个晶闸管的门极与外接线路之间。

两个外接线路设置在阻尼电阻3两侧。

阻尼箱2上侧设置有与消弧线圈连接的接口1，阻尼箱2下侧设置有接地线6。

使用时，系统正常运行时，阻尼电阻3串联在消弧线圈一次接地端，当发生单相接地故障时，与消弧线圈串联的阻尼电阻3上的电压必然升高，使得流过电阻R1或电阻R2的电流增加，当电流增大到超过晶闸管门极触发电流时，即可使晶闸管导通，从而将阻尼电阻短接。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。