[实用新型]一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括依次设置在衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅电极、层间介质层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极通过露出所述有源层的过孔分别与所述有源层连接；所述栅绝缘层和所述层间介质层均包括氧化硅层和氮化硅层；

其特征在于，所述栅绝缘层至少包括两层结构的所述氧化硅层和所述氮化硅层，所述层间介质层至少包括四层结构的所述氧化硅层和所述氮化硅层；

其中，所述栅绝缘层和所述层间介质层包括的所有所述氧化硅层和所述氮化硅层间隔排列；

从所述层间介质层中最远离所述衬底基板的一层氧化硅层或氮化硅层算起，所述栅绝缘层和所述层间介质层包括的所有层中至少第奇数层或第偶数层的致密性依次递增。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，从所述层间介质层中最远离所述衬底基板的一层氧化硅层或氮化硅层算起，所述栅绝缘层和所述层间介质层包括的所有所述氧化硅层和所述氮化硅层的致密性依次递增。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述层间介质层包括的所有所述氧化硅层的总体厚度为100～300nm，所述层间介质层包括的所有所述氮化硅层的总体厚度为200～500nm；

所述层间介质层包括四至六层结构的所述氧化硅层和所述氮化硅层。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层包括的所有所述氧化硅层的总体厚度为40～100nm，所述栅绝缘层包括的所有所述氮化硅层的总体厚度为40～100nm；

所述栅绝缘层包括四层结构的所述氧化硅层和所述氮化硅层。

5.根据权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的多晶硅区；

所述源电极和所述漏电极通过露出所述有源层的过孔分别与所述有源层连接，包括：

所述源电极通过露出所述源极区域的第二过孔与所述源极区域连接，所述漏电极通过露出所述漏极区域的第三过孔与所述漏极区域连接。

6.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述漏电极电连接的像素电极。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括公共电极。

9.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括与所述漏电极电连接的阳极、设置于所述阳极远离所述薄膜晶体管一侧的阴极、以及设置于所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6至9任一项所述的显示基板。