[实用新型]一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置。

背景技术

随着人们生活水平的提高，手机、相机、电脑、电视等显示设备被人们广泛的应用。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)作为这些设备的重要部件之一，其直接影响到显示设备的显示效果。

如图1所示，其中一种类型的薄膜晶体管包括：依次设置在衬底基板10上的有源层20、栅绝缘层30、栅电极40、层间介质层50、以及源电极61和漏电极62；其中，所述源电极61和所述漏电极62通过所述层间介质层50和所述栅绝缘层30上的过孔53分别与所述有源层20连接。

目前，如图2所示，所述层间介质层50一般由氧化硅层和氮化硅层两层组成，栅绝缘层30也由氧化硅层和氮化硅层两层组成，这样在采用干法刻蚀形成所述过孔53时，会由于层间介质层50的氧化硅层和氮化硅层的这两种材料的刻蚀速率不同而导致所述过孔53内氧化硅层和氮化硅层之间台阶较大的问题，从而使过孔53内形貌不佳、孔内不平滑，进而在形成所述源电极61和所述漏电极62时，容易在所述过孔53内发生断线不良。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置，可改善后续形成的电极在过孔内发生断线不良的问题。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：依次设置在衬底基板上的有源层、栅绝缘层、栅电极、层间介质层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极通过露出所述有源层的过孔分别与所述有源层连接；所述栅绝缘层和所述层间介质层均包括氧化硅层和氮化硅层；所述栅绝缘层至少包括两层结构的所述氧化硅层和所述氮化硅层，所述层间介质层至少包括四层结构的所述氧化硅层和所述氮化硅层；其中，所述栅绝缘层和所述层间介质层包括的所有所述氧化硅层和所述氮化硅层间隔排列；从所述层间介质层中最远离所述衬底基板的一层氧化硅层或氮化硅层算起，所述栅绝缘层和所述层间介质层包括的所有层中至少第奇数层或第偶数层的致密性依次递增。

另一方面，提供一种显示基板，包括上述的薄膜晶体管。

再一方面，提供一种显示装置，包括上述的显示基板。

本实用新型实施例提供了一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置，相对现有技术中，由于层间介质层的氧化硅层和氮化硅层厚度较厚且刻蚀速率不同而导致过孔内氧化硅层和氮化硅层之间台阶较大的问题，本实用新型实施例中，通过设定氧化硅层和/或氮化硅层的致密性，可以避免由于过孔的形状而导致断线不良的发生，在此基础上，在所述层间介质层的总体厚度不变的情况下，将所述层间介质层的每层氧化硅层和每层氮化硅层的厚度做薄，使得构成所述层间介质层的氧化硅层和氮化硅层的层数增加，并将所述栅绝缘层和层间介质层的所有氧化硅层和氮化硅层间隔排列，这样，在刻蚀所述栅绝缘层和层间介质层形成所述过孔时，即使氧化硅层和氮化硅层的刻蚀速率不同，也会由于氧化硅层和氮化硅层的厚度较薄而在形成过孔时使二者之间的台阶变小，从而使得过孔的表面较为平滑，进而改善后续形成的电极在过孔内发生断线不良的问题，而且过孔采用梯度刻蚀法，避免了对有源层的过刻损伤。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；

图2为图1中过孔的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；

图4为图3中过孔的一种结构示意图；

图5为图3中过孔的另一种结构示意图；

图6为图3中过孔的又一种结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的一种低温多晶硅薄膜晶体管的结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的一种显示基板的结构示意图；

图9为本实用新型实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；

图10为本实用新型实施例提供的又一种显示基板的结构示意图。

附图标记：