[实用新型]一种单侧电极芯片的LED封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种LED封装结构,尤其一种采用侧电极芯片的LED封装结构。

背景技术

按衬底的导电性能不同，现有的LED芯片一般分为不导电衬底芯片和导电衬底芯片，前者主要是指蓝宝石衬底芯片，也叫正装结构芯片或双电极芯片，后主要包括碳化硅衬底、硅衬底和氮化镓衬底芯片等，也叫垂直结构芯片或单电极芯片。正装芯片的P型电极可以直接制作在P型半导体层上，但由于承载N型半导体层的蓝宝石衬底不具有导电功能，在制作N型电极时，需要在P型半导体面上切割出部分区域，直至暴露出N型半导体层，再在该暴露的N型半导体层上制作N型电极。以8mil×7mil尺寸的芯片来算，芯片的总发光面积为8×7＝56mil²，P型电极的面积约为3×3＝9mil²，切割的P型半导体区域约为4×4＝16mil²，制作完电极后芯片剩余的发光面积为56-9-16＝31mil,发光面积的利用率为31/56×100％＝55％。相对而言，由于垂直结构芯片的衬底是可以导电的，只需要再P型半导体层上制作一个P型电极即可，发光面积利用有所提高，但由于P型电极设置在出光面上，还是遮挡了部分光。可见，现有LED芯片都需要在发光面上制作电极，对芯片发光面积存在不同程度的遮挡，无法完全利用到芯片的全部发光面积，内部量子效率低下。同时，由于大量的光被反射回芯片内，造成芯片内热量积聚，也加快了芯片的衰减速度，降低芯片的使用寿命。采用上述的芯片封装为LED时，由于还需要在芯片电极上焊接金线，进一步增加对芯片发光的遮挡，降低LED的出光率。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种出光效率高，热积聚少，使用寿命高的LED封装结构。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术手段是：

一种单侧电极芯片的LED封装结构，包括芯片，芯片与N型半导体层或P型半导体层之一电接触的导电衬底和与另一P型半导体层或N型半导体层电接触的另一电极，所述导电衬底和所述另一电极分别与导电基板电连接，容置所述芯片和基板的杯碗，其特征在于：芯片的N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面；所述另一电极设置芯片的侧面上。

本实用新型的有益效果是：由于本实用新型将电极设置在芯片的侧面，芯片侧面的出光量大大小于芯片侧面的出光量，使得LED的出光量将大大增加，同时减少LED内的热量积聚，提高LED寿命。

作为本实用新型的进一步改进，所述导电衬底与所述芯片的N型半导体层电接触，所述另一电极为与P型半导体层电接触的P型电极。

作为本实用新型的进一步改进，所述导电衬底与所述芯片的P型半导体层电接触，所述另一电极为与N型半导体层电接触的N型电极。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片的发光面朝向所述基板，所述导电衬底与所述基板直接焊接电连接，所述另一电极通过下端面与所述基板直接焊接电连接，从而有利于采用统一焊接工艺。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片的发光面朝向所述基板，所述导电衬底与所述基板直接焊接电连接，所述另一电极通过上端面与所述基板通过焊线电连接，从而有利于采用焊线工艺。

附图说明

图1为本实用新型电极在芯片同一侧面的结构示意图；

图2为本实用新型电极在芯片不同侧面的结构示意图；

图3为本实用新型电极上设置导电层的结构示意图；

图4为具有导电衬底的芯片上制作侧电极的结构示意图；

图5为无衬底芯片上制作侧电极的结构示意图；

图6为无衬底芯片仅一个电极设置在侧面的结构示意图；

图7为单电极芯片的LED封装结构示意图之一；

图8为单电极芯片的LED封装结构示意图之二。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明。本实用新型至少可以实施于具有不导电衬底的LED芯片，具有导电衬底的LED芯片和无衬底的LED芯片上。除有特别说明外，在本领域普通技术人员的知识范围内，下述针对某一类型的芯片上描述的电极结构在其他类型的芯片上具有通用性。