[实用新型]一种快速热退火装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种快速热退火装置。

背景技术

快速热退火作为常用的半导体工艺技术，是将硅片在一定的时间内置于所需温度和环境条件下，利用热能促使硅片内的原子进行晶格位置的重排，以降低晶格缺陷，激活掺杂元素。

在半导体技术不断发展的背景下，快速热退火工艺应用十分广泛。与此同时，半导体器件性能之飞速提升，亦对快速热退火工艺的要求大幅提高。在如今的芯片工艺流程中，均需要进行多次快速热退火工艺，势必要求在每次工艺过程中，对颗粒物污染严格管控，并尽可能的提高热退火工艺的效率。

然而，现有的快速热退火装置的传送路径是以单片硅片形式直接从硅片盒搬送至快速退火工艺腔，传送环节效率过低，且整个传送与降温过程均在常规大气环境下进行，对于工艺过程中的各类颗粒污染物未能做到有效防范，并使得所述退火环境易于受到外界条件干扰，降低产品成品率。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本实用新型一种快速热退火装置。

实用新型内容

本实用新型是针对现有技术中，所述传统的快速热退火装置的传送路径是以单片硅片形式直接从硅片盒搬送至快速退火工艺腔，传送环节效率过低，且整个传送与降温过程均在常规大气环境下进行，对于工艺过程中的各类颗粒污染物未能做到有效防范，并使得所述退火环境易于受到外界条件干扰，降低产品成品率等缺陷提供一种快速热退火装置。

为实现本实用新型之目的，本实用新型提供一种快速热退火装置，所述快速热退火装置，包括：硅片盒承载装置，用于承载待退火之晶圆；开放式传送机构，通过交换门与所述硅片盒承载装置连接；气体净化交换腔，用于净化腔室内气体，并接受经过所述开放式传送机构传送的所述待退火之晶圆；气体净化传送腔，用于净化腔室内气体，并在所述气体净化传送腔内传送进入气体净化交换腔内的待退火之晶圆；快速热退火工艺腔，接受来自所述气体净化传送腔的待退火之晶圆，并在预设温度和环境条件下对所述晶圆进行退火，且在所述晶圆完成退火后便于所述气体净化传送腔传送至所述气体净化交换腔内降温。

可选地，所述硅片盒承载装置内承载的晶圆盒数量为2个，每个晶圆盒装载的晶圆数量为25枚。

可选地，所述开放式传送机构的传送频率为5枚/次。

综上所述，本实用新型快速热退火装置通过依次设置硅片盒承载装置、开放式传送机构、气体净化交换腔、气体净化传送腔，以及快速热退火工艺腔，使得待退火和降温之晶圆在相对封闭的净化环境中进行工艺传送和退火、降温工艺，不仅有效的避免外界干扰条件因素对工艺生产的影响，降低工艺缺陷的发生，而且统一化工艺环境条件，改善晶圆之差异性，利于提高产品质量。

附图说明

图1所示为本实用新型快速热退火装置之框架结构示意图；

图2所示为本实用新型快速热退火装置之结构示意图；

图3所示为本实用新型快速热退火装置之快速退火流程图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。

请参阅图1，图1所示为本实用新型快速热退火装置之框架结构示意图。所述快速热退火装置1，包括：硅片盒承载装置11，所述硅片盒承载装置11用于承载待退火之晶圆2；开放式传送机构12，所述开放式传送机构12通过交换门13与所述硅片盒承载装置11连接；气体净化交换腔14，所述气体净化交换腔14用于净化腔室内气体，并接受经过所述开放式传送机构12传送的所述待退火之晶圆2；气体净化传送腔15，所述气体净化传送腔15用于净化腔室内气体，并在所述气体净化传送腔15内传送进入气体净化交换腔14内的待退火之晶圆2；快速热退火工艺腔16，所述快速热退火工艺腔16接受来自所述气体净化传送腔15的待退火之晶圆，并在预设温度和环境条件下对所述晶圆2进行退火，且在所述晶圆2完成退火后便于所述气体净化传送腔15传送至所述气体净化交换腔14内降温。

为了更直观的揭露本实用新型之技术方案，凸显本实用新型之有益效果，现结合具体的实施方式，对所述快速热退火装置之工作原理进行阐述，在所述具体实施方式中，所述各功能部件的数量、具体设置位置仅为描述方便，不应视为对本技术方案的限制。非限制性地，所述硅片盒承载装置1内承载的晶圆盒数量为2个，每个晶圆盒装载的晶圆数量为25枚。所述开放式传送机构12的传送频率为5枚/次。