[实用新型]一种层间介质层击穿的测试结构有效
| 申请号： | 201420508299.7 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN204067309U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;嵇刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介质 击穿 测试 结构 | ||
1.一种层间介质层击穿的测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：
形成于介质层中金属化层，所述金属化层包括第一梳状金属层和第二梳状金属层，所述第一梳状金属层和第二梳状金属层相互交叉且被介质层隔离开；
形成于介质层中且与所述金属化层处于不同层的若干条平行排列的栅极，栅极的一端分别与一晶体管器件的栅极端电连；每一条栅极与第一梳状金属层、第二梳状金属层的交叉部分在垂直方向的投影均有重合点。
2.根据权利要求1所述的层间介质层击穿的测试结构，其特征在于：所述金属化层还包括插入在所述第一梳状金属层和第二梳状金属层之间的蛇形金属层。
3.根据权利要求2所述的层间介质层击穿的测试结构，其特征在于：每一条栅极与第一梳状金属层、第二梳状金属层以及蛇形金属层的交叉部分在垂直方向的投影均有重合点。
4.根据权利要求1所述的层间介质层击穿的测试结构，其特征在于：所述金属化层均为铝金属或铜金属。
5.根据权利要求1所述的层间介质层击穿的测试结构，其特征在于：所述栅极为多晶硅栅极。
6.根据权利要求1所述的层间介质层击穿的测试结构，其特征在于：所述晶体管器件为NMOS或者PMOS。
7.根据权利要求1所述的层间介质层击穿的测试结构，其特征在于：所述晶体管器件还包括源端和漏端。
8.根据权利要求1所述的层间介质层击穿的测试结构，其特征在于：所述金属化层和栅极之间由介质层隔离开。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420508299.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
