[实用新型]一种用于制备两层两点发光OLED器件的掩膜板

权利要求书

1.一种用于制备两层两点发光OLED器件的掩膜板，包括玻璃基板，位于玻璃基底上的铟锡氧化物ITO阳极，有机物掩膜板，底层电极掩膜板和顶层电极掩膜板，其特征在于：所述的ITO阳极，有机物掩膜板，底层电极掩膜板蒸镀底层发光器件；所述的底层电极掩膜板，有机物掩膜板和顶层电极掩膜板蒸镀制备顶层发光器件；所述的底层电极掩膜板采用两个尺寸不同的矩形镂空设计，所述的顶层电极的掩膜板与底层电极掩膜板呈中心对称。

2.根据权利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于：所述的底层电极掩膜板蒸镀的底层电极，作为底层发光器件的阴极或顶层发光器件的阳极。

3.根据权利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于：所述的ITO玻璃基板尺寸为30mm*30mm正方形，基板上设计呈轴对称的两列矩形ITO，各矩形ITO之后彼此隔断。

4.根据权利要求1或3所述OLED器件的掩膜板，其特征在于：所述的ITO玻璃基板由8块矩形ITO构成，ITO按照尺寸不同可分为2类，此处分别以大矩形和小矩形命名。

5.根据权利要求4所述OLED器件的掩膜板，其特征在于：大矩形位于玻璃基板的四角，尺寸为14mm*8mm；小矩形位于玻璃基板的两侧，相邻大矩形中间，尺寸为14mm*4mm。

6.根据权利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于：所述的底层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板，两个镂空的矩形尺寸分别为4mm*14mm和4mm*8mm。

7.根据权利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于：所述有机物掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用中心位置的一个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为20mm*12mm。

8.根据权利要求1所述OLED器件的掩膜板，其特征在于：所述顶层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板的镂空形状与底层电极掩膜板呈中心对称。