[实用新型]一种用于制备两层两点发光OLED器件的掩膜板

说明书

技术领域

本实用新型具体涉及一种用于制备两层两点发光OLED器件的掩膜板。 

背景技术

目前，公知的OLED器件掩膜板都是基于OLED的基本结构而设计的。其基本结构一般由一层薄而透明的铟锡氧化物(ITO)阳极，空穴传输层、发光层与电子传输层和金属阴极构成，包成如三明治的结构。因此公知的OLED掩膜板只包括一个阴极掩膜板和有机物掩膜板，用于制作单层发光的OLED器件，如单层红光器件、小分子绿光器件等。而且，目前的OLED器件掩膜板一般无法一次性制作多个器件，难以实现高效率的器件生产和制备，从而导致研究人员需要进行多次蒸镀等相对较复杂的操作步骤，造成生产滞后和科研效率降低的后果。 

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术的不足提供了一种能够实现两层OLED发光器件制备的掩膜板，且能够在30mm*30mm基板上一次性制备两个发光器件，提高了生产效率。 

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种用于制备两层两点发光OLED器件的掩膜板，包括玻璃基板，位于玻璃基底上的铟锡氧化物（ITO）阳极，有机物掩膜板，底层电极掩膜板和顶层电极掩膜板；所述的ITO阳极，有机物掩膜板，底层电极掩膜板蒸镀底层发光器件；所述的底层电极掩膜板，有机物掩膜板和顶层电极掩膜板蒸镀顶层发光器件；所述的底层电极掩膜板采用两个尺寸不同的矩形镂空设计，所述的顶层电极的掩膜板与底层电极掩膜板呈中心对称。 

作为本发明的进一步改进，上述的底层电极掩膜板蒸镀的底层电极，在不同条件下，可分别作为底层发光器件的阴极或顶层发光器件的阳极。 

作为本发明的进一步改进，上述的ITO玻璃基板尺寸为30mm*30mm正方形，基板上设计呈轴对称的两列矩形ITO，各矩形ITO之后彼此隔断。 

作为本发明的进一步改进，ITO玻璃基板由8块矩形ITO构成，ITO按照尺寸不同可分为2类，此处分别以大矩形和小矩形命名。其中，大矩形位于玻璃基板的四角，尺寸为14mm*8mm；小矩形位于玻璃基板的两侧，相邻大矩形中间，尺寸为14mm*4mm，即两列ITO矩形成轴对称布置，便于实现在水平方向的同一层ITO上蒸镀两个OLED发光器件。 

作为本发明的进一步改进，上述的底层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用两个尺寸不同的矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸分别为4mm*14mm和4mm*8mm。 

作为本发明的进一步改进，上述的顶层电极掩膜板用于蒸镀顶层OLED器件的阴极，顶层电极掩膜板为30mm*30mm正方形基板，镂空形状与底层电极掩膜板呈中心对称。 

作为本发明的进一步改进，上述的有机物掩膜板为30mm*30mm正方形基板，基板采用中心位置的一个矩形镂空设计，镂空的矩形尺寸为20mm*12mm；有机物掩膜板用于蒸镀ITO阳极与底层电极掩膜板之间或底层电极掩膜板与顶层电极掩膜板间的各层有机功能材料，即有机物掩膜板蒸镀底层器件或顶层器件的有机发光层。 

本实用新型与现有技术相比，具有以下技术效果：该实用新型不仅能够实现两层有机发光二极管器件的制备，提高器件的发光亮度发光效率，而且能够在30mm*30mm基板上一次性制备两个发光器件，提高了生产效率，且机械结构简单。 

附图说明

图1是本实用新型制备OLED器件的掩膜板平面示意图。 

图2是本实用新型制备OLED器件的掩膜板立体示意图。 

图3是本实用新型的ITO玻璃基板平面结构示意图。 

图4是本实用新型的底层电极掩膜板平面结构示意图。 

图5是本实用新型的有机物掩膜板平面结构示意图。 

图6是本实用新型的顶层电极掩膜板平面结构示意图。 

具体实施方式

现结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。 

如图1~6所示，一种用于制备两层两点发光OLED器件的掩膜板，包括玻璃基板1、位于玻璃基板上的铟锡氧化物（ITO）阳极2，有机物掩膜板6，底层电极掩膜板4和顶层电极掩膜板5，底层电极掩膜板矩形镂空7，有机物掩膜板矩形镂空8和顶层电极掩膜板矩形镂空9。