[实用新型]硅通孔金属柱背面互联结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种硅通孔金属柱背面互联结构。

背景技术

在硅通孔(through silicon via，TSV)工艺的背面凸块(bump)工艺中，常常采用传统bump的工艺，进行背面bump的加工，即硅基板背面焊锡球与硅通孔金属柱的接触面位于硅基板背面的表面，这种结构在外界压力下凸块很容易变形，致使凸块之间连通，进而导致产品性能失效。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种硅通孔金属柱背面互联结构。

本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面互联结构，包括：

硅基板、锡球结构、多个硅通孔金属柱；所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中，并延伸至所述硅基板背面形成凸点；多个具有电连通关系的所述硅通孔金属柱对应的所述凸点在所述硅基板背面与一凸点下金属层连接；所述锡球结构环包设置在所述凸点下金属层上。

本实用新型提供的硅通孔金属柱背面互联结构，在硅通孔金属柱本体上，将露出硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在该凸点表面形成可焊接用的凸点下金属层，这种结构在外界压力下锡球焊点不易变形，产品性能稳定。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种硅通孔金属柱背面互联结构的示意图；

图2为本实用新型提供的又一种硅通孔金属柱背面互联结构的示意图；

图3为本实用新型提供的凸点下金属层结构的示意图。

具体实施方式

图1为本实用新型提供的一种硅通孔金属柱背面互联结构的示意图，如图1所示，该硅通孔金属柱背面互联结构具体包括：硅基板11、锡球结构12、多个硅通孔金属柱13；硅通孔金属柱13设置在硅基板11中，并延伸至硅基板11背面形成凸点15；多个具有电连通关系的硅通孔金属柱13对应的凸点15在硅基板11背面与一凸点下金属层14连接；锡球结构12环包设置在具有互联关系的至少两个硅通孔金属柱13对应的凸点下金属层14上。

图3为本实施例提供的凸点下金属层结构的平面结构示意图。

进一步的，如图2所示，在硅基板11背面且除凸点15所在位置区域的剩余区域还设置有隔离层16；具体工艺中，该隔离层16的厚度可设置的薄一些，使其表面不高于凸点15的表面，如此，该隔离层16即起到隔离硅基板11的作用，同时不影响凸点15后续与凸点下金属层14间的连接。

进一步的，如图2所示，位于硅基板11正面还设置有至少一个顶层凸块17，该顶层凸块17用于多层硅基板互联。

进一步的，如图2所示，上述硅通孔金属柱13具体为圆柱形结构，且该圆柱形结构的一个底面垂直延伸至硅基板11背面形成上述凸点15。

进一步的，如图2所示，凸点下金属层14具体依次包括钛层、铜层和镍层，其中钛层对应环包凸点15的表面；或者，该凸点下金属层14具体为锡层。本实用新型提供的硅通孔金属柱背面互联结构，在硅通孔金属柱本体上，将露出硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在该凸点表面形成可焊接用的凸点下金属层，这种结构在外界压力下锡球焊点不易变形，产品性能稳定。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。