[实用新型]背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池

权利要求书

1.一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：依次叠加的正面银电极、减反膜、磷扩散层、P型硅基体、背面钝化膜和铝箔结构，所述铝箔上刻蚀有线阵列或点阵列图形，该铝箔与所述P型硅基体局部熔融形成局部欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述铝箔的形状和硅片相同。

3.根据权利要求1所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述线阵列图形，其线宽10-100um，线间距0.3-2.5mm；所述点阵列图形的直径50-400um，点间距0.1-2mm。

4.根据权利要求1所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述P型硅基体电阻率为0.5-6 ohm·cm。

5.根据权利要求1所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述磷扩散层为n型层，其方阻值为30-180ohm/sq。

6.根据权利要求1所述的背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述背面钝化膜厚度为1-50nm，该钝化膜为AlOx、SiNx、TiOx、SiOx其中之一。