[实用新型]背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池，具体涉及一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池。

背景技术

现代化太阳能电池工业化生产朝着高效低成本化方向发展，背钝化与金属化区域局域重掺杂技术相结合作为高效低成本发展方向的代表，其优势在于：

（1）优异的背反射器：由于电池背面介质膜的存在使得内背反射从常规全铝背场65%增加到92-95%。一方面增加的长波光的吸收，另一方面尤其对未来薄片电池的趋势提供了技术上的保证；

（2）介质薄膜优越的背面钝化技术：由于背面介质膜的良好的钝化作用，介质薄膜区域的背面复合速率降低至10-50cm/s；

目前背面点接触多数在激光薄膜钻孔后，采用丝网印刷铝浆的方法在电池背面印刷铝层，然后在薄膜的空洞处形成局部的铝硅接触。但这种方案的缺点是铝浆印刷这一步骤的成本相对较高，且碎片率高。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池。

技术方案：为了实现以上目的，本实用新型公开了一种背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池，依次叠加的银电极、减反膜、磷扩散层、P型硅基体、背面钝化膜和铝箔结构，所述铝箔上刻蚀有线阵列或点阵列图形，该铝箔与所述P型硅基体局部熔融形成局部欧姆接触。在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触；本实用新型提出可以利用廉价的铝箔替代铝浆，采用激光将铝箔与硅基体局部熔融，解决了铝浆印刷碎片率高的问题，同时由于铝箔的成本比铝浆的成本低很多，节约生产成本，解决了碎片率高的问题，再则铝浆成本高且废料处理回收较难，采用铝箔后，废料回收方便，更环保。

本实用新型中所述铝箔的形状和硅片相同，将铝箔的形状等同硅片的形状，能够在保证激光烧蚀面积的基础上有效节约铝箔的用量。

本实用新型中所述线阵列图形，其线宽10-100um，线间距0.3-2.5mm；所述点阵列图形的直径50-400um，点间距0.1-2mm；采用上述设计铝硅接触效果好。

本实用新型中所述P型硅基体电阻率为0.5-6 ohm·cm。

本实用新型中所述磷扩散层为n型层，其方阻值为30-180ohm/sq。

本实用新型中背面钝化膜厚度为1-50nm，该钝化膜为AlOx、SiNx、TiOx、SiOx其中之一，该钝化膜起到保护作用，也可以不需要该钝化膜。

上述背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池其制备方法具体步骤如下：

（1）硅片去损伤并制绒；

（2）磷扩散；

（3）背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，清洗；

（4）背面氧化铝薄膜生长；

（5）正面减反射薄膜生长；

（6）正面印刷银栅线，烧结； 

（7）在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触。

本实用新型中将在硅片的背面铺贴铝箔，采用激光烧蚀，使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触；本实用新型提出可以利用廉价的铝箔替代铝浆，采用激光将铝箔与硅基体局部熔融，解决了铝浆印刷碎片率高的问题。

所述步骤（3）背面磷硅玻璃去除，背面抛光方法为：采用在线滚轮式设备，单面去除PSG，抛光时正面发射结被PSG保护，实现背面抛光。

所述步骤（4）为背面钝化薄膜的生长，采用PECVD，ALD或者APCVD方法实现。

有益效果：本实用新型与现有技术相比，具有以下优点：

本实用新型提出可以利用廉价的铝箔替代铝浆，采用激光将铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触，解决了铝浆印刷碎片率高的问题，同时由于铝箔的成本比铝浆的成本低很多，再则铝浆成本高且废料处理回收较难，采用铝箔后，节约了生产成本，解决了碎片率高的问题，废料回收方便，更环保。

附图说明

图1为本实用新型中背面铝箔点接触的PERC晶体硅太阳能电池的结构示意图；

图中，正面Ag电极1、SiNx减反膜2、磷扩散层3、P型硅基体4、氧化铝5、铝箔6、激光烧蚀形成的铝硅局部接触7。

具体实施方式

以下结合具体的实施例对本实用新型进行详细说明，但同时说明本实用新型的保护范围并不局限于本实施例的具体范围，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。