[实用新型]一种超高频小尺寸电子标签

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种超高频电子标签，特别是一种超高频小尺寸电子标签。

背景技术

在RFID系统应用过程中，根据使用和安装环境的不同，RFID系统对电子标签的结构、性能等也有不同的要求。通常电子标签会采用蚀刻天线或者印刷天线，这些天线都适用于与芯片电连接的情况，但是由于蚀刻天线和印刷天线本身存在的易氧化，易折断等缺点，在特殊场合应用存在局限性，这就对天线材料提出了新的要求，而很多抗氧化、不易折断的材料制成的天线又存在不方面与芯片电连接的问题，因此出现了一种通过耦合方式使得芯片与天线之间建立一种非接触式的连接关系。

现有技术中，通过耦合方式使得芯片与天线之间建立非接触连接通常采用较大耦合环的方式来解决这个问题，因为大耦合环才能保证天线在需要的超高频(UHF)频段谐振，虽然解决了非接触式连接的技术问题，但是导致标签尺寸过大，导致标签在多场合应用受限。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的由于上述超高频电子标签大耦合环导致的标签尺寸大，从而使得多场合应用受限的缺陷，提供一种适用于超高频频段、采用小耦合环的小尺寸电子标签。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种超高频小尺寸电子标签，包括天线、标签芯片、与所述标签芯片电连接的耦合环，所述耦合环为双层耦合环，所述标签芯片与所述双层耦合环中的任一耦合环电连接，所述耦合环和所述标签芯片与所述天线采用非接触耦合方式连接。

更进一步地，所述双层耦合环包括上层耦合环、下层耦合环以及电连接所述上层耦合环和所述下层耦合环的导电电路。

更进一步地，所述标签芯片跨接在位于所述上层耦合环或所述下层耦合环上的端口的两侧。

更进一步地，所述端口可开设在所述上层耦合环或所述下层耦合环上的任意位置。

更进一步地，所述双层耦合环可置于靠近所述天线的任意位置。

更进一步地，所述天线与所述双层耦合环均放置在非金属介质上。

更进一步地，所述上层耦合环的尺寸为6mm*5mm，所述下层耦合环的尺寸为5mm*5mm。

更进一步地，所述天线尺寸为10mm*70mm。

更进一步地，所述双层耦合环放置在所述天线的弯折区域内，所述双层耦合环各边沿与所述天线边沿的最短直线距离均为1mm。

本实用新型通过采用双层耦合环结构的设计，减小了耦合环的面积，从而达到了减小超高频电子标签尺寸的目的，并保证了电子标签良好的读取性能。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型双层耦合环的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型的目的是提供一种超高频小尺寸电子标签，要解决的技术问题是在尽量减小耦合环面积的条件下，减小电子标签天线的宽度，从而达到减小电子标签尺寸的目的，并能有效保证电子标签的读写性能。

下面结合附图对本实用新型进行详细说明。如图1所示，本实用新型的一种超高频小尺寸电子标签，包括双层耦合环1、标签芯片2和天线3，标签芯片2位于双层耦合环1上，标签芯片2与双层耦合环1上的任意一层耦合环电连接。双层耦合环1和标签芯片2均与天线3无接触，采用的是非接触的耦合方式进行连接。双层耦合环1由上层耦合环11、下耦合环12、导电电路13构成，导电电路13从上到下顺序连接上层耦合环11和下层耦合环12的开口两端。本实施例中，在上层耦合环11上、与导电电路13连接的开口相对的位置开设有用于连接标签芯片5的端口，标签芯片5跨接在端口的两侧。具体实施的过程中，端口开设的位置不限，标签芯片2也可以连接到在下层耦合环12上开设的端口两侧。

天线3在双层耦合环1的周边，双层耦合环1即可以放置在天线的弯折区域内，也可以放置在靠近天线的周边位置，二者无电连接。是通过磁场耦合的方式进行非接触式的链接。双层耦合环1和天线3共同放置在非导电介质4上。

本实用新型适应的频率为100KHZ～6GHz。

作为最佳实例，天线3的尺寸为10mm*70mm，双层耦合环1的尺寸为6mm*5mm*0.5mm，上层耦合环11的尺寸为6mm*5mm，下层耦合环12的尺寸为5mm*5mm，上下层耦合环附着在Fr4基板上。双层耦合环1放置在天线2的弯折区域内，双层耦合环1各边沿距离天线3的边沿的最短直线距离为1mm。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。