[实用新型]一种非易失性三维半导体存储器及其栅电极

权利要求书

1.一种非易失性三维半导体存储器的栅电极，其特征在于，包括n个依次成阶梯状排列的第一栅电极单元、第二栅电极单元……第n栅电极单元，每个栅电极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，所述连通电极的下表面用于连接字线。 

2.如权利要求1所述的栅电极，其特征在于，所述第一栅电极单元包括衬底，形成于所述衬底上的第一层绝缘层，n个通孔以及在具有n个通孔的第一层绝缘层上形成的第一层栅层； 

所述第二栅电极单元包括：形成于所述第一层栅层上的第二层绝缘层，(n-1)个通孔，以及在具有(n-1)个通孔的第二层绝缘层上形成的第二层栅层； 

所述第n栅电极单元包括：形成于第(n-1)层栅层上的第n层绝缘层，一个通孔，以及在具有一个通孔的第n层绝缘层上形成的第n层栅层。 

3.如权利要求2所述的栅电极，其特征在于，所述第一层绝缘层、第二层绝缘层……和第n层绝缘层的材料相同，为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。 

4.一种非易失性三维半导体存储器，其特征在于，包括：位线电极、字线电极、选通晶体管以及多个阵列分布的NAND存储串；每个NAND存储串至少包含两个存储单元；每层存储单元共用同一栅层，并且通过栅电极与字线选通； 

所述栅电极包括依次成阶梯状排列的第一栅电极单元、第二栅电极单元以及第n栅电极单元；所述第一栅电极单元包括衬底，形成于所述衬底上的第一层绝缘层，n个通孔以及在具有n个通孔的第一层绝缘层上形成的第一层栅层；所述第二栅电极单元包括：形成于所述第一层栅层上的第二 层绝缘层，(n-1)个通孔，以及在具有(n-1)个通孔的第二层绝缘层上形成的第二层栅层；所述第n栅电极单元包括：形成于所述第(n-1)层栅层上的第n层绝缘层，一个通孔，以及在具有一个通孔的第n层绝缘层上形成的第n层栅层。