[实用新型]一种半导体保护用熔断器有效
| 申请号： | 201420537122.X | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN204102839U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李道远;吴国兴;焦许哥;徐琴 | 申请（专利权）人： | 友容新源电气（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/08 | 分类号： | H01H85/08;H01H85/22 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215313 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 保护 熔断器 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体保护用熔断器，其特征在于：包括右导电触头(1)、熔管(2)、填料(3)、变截面银熔体(4)、铆钉(5)、左导电触头(7)；变截面银熔体(4)设于熔管(2)内中央，熔管(2)内的剩余空间填充满填料(3)，熔管(2)的两侧分别安装左导电触头(7)、右导电触头(1)，左导电触头(7)、右导电触头(1)与熔管(2)内的变截面银熔体(4)通过点焊实现电连接；熔管(2)的侧面设有铆钉孔(5)，通过安装铆钉将左导电触头(7)、右导电触头(1)与熔管(2)固定连接。
2.根据权利要求1所述的半导体保护用熔断器，其特征在于：所述左导电触头(7)的外侧面上设有两个孔(6)，通过封装塞堵住。
3.根据权利要求1所述的半导体保护用熔断器，其特征在于：所述变截面银熔体(4)为设有若干个开口的柱体结构。
4.根据权利要求1所述的半导体保护用熔断器，其特征在于：所述熔管(2)侧面分别设有4个铆钉孔(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友容新源电气（昆山）有限公司，未经友容新源电气（昆山）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420537122.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
