[实用新型]一种频率不随温度变化的压控振荡器电路

权利要求书

1.一种频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，该电路包含：

第一交叉耦合管（10），其输入端连接外部电源；

LC振荡电路（20），两输出端分别与所述第一交叉耦合管（10）的两输出端并联连接；

第二交叉耦合管（30），两输入端分别与所述LC振荡电路（20）两输出端并联连接；

镜像电流源电路（40），所述镜像电流源电路（40）的输入端输入具有斜率的负温度系数电流；所述镜像电流源电路（40）与所述LC振荡电路（20）连接；

分压电阻（50），所述分压电阻（50）的一端与所述第一交叉耦合管（10）的输入端连接，该分压电阻（50）的另一端与所述镜像电流源电路（40）的输出端连接；

滤波电容（60），所述滤波电容（60）的一端与所述镜像电流源电路（40）的输出端连接，该滤波电容（60）的另一端接地。

2.如权利要求1所述的频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，所述第一交叉耦合管（10）包含：第一PMOS管（11）、第二PMOS管（12）交叉耦合连接； 

所述第一PMOS管（11）的栅极与所述第二PMOS管（12）的漏极连接，该第二PMOS管（12）的栅极与该第一PMOS管（11）的漏极连接；

该第一PMOS管（11）的漏极、第二PMOS管（12）的漏极分别为该第一交叉耦合管（10）的输出端；

所述第一PMOS管（11）的源极、第二PMOS管（12）的源极分别接外部电源。

3.如权利要求1所述的频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，所述第二交叉耦合管（30）包含：第一NMOS管（31）、第二NMOS管（32）交叉耦合连接；

该第一NMOS管（31）的栅极与该第二NMOS管（32）的漏极连接，该第二NMOS管（32）的栅极与该第一NMOS管（31）的漏极连接；

该第一NMOS管（31）的漏极、第二NMOS管（32）的漏极分别为所述第二交叉耦合管（30）的输入端；

所述第一NMOS管（31）的源极、第二NMOS管（32）的源极分别接地。

4.如权利要求1所述的频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，所述镜像电流源电路（40）包含：第一NMOS管（41）、第二NMOS管（42）；

所述第一NMOS管（41）的源极、第二NMOS管（42）的源极分别接地，该第一NMOS管（41）的栅极与第二NMOS管（42）的栅极连接；

该第一NMOS管（41）的漏极为所述镜像电流源电路（40）的输入端，该第二NMOS管（42）的漏极为所述镜像电流源电路（40）的输出端；具有斜率的负温度系数电流信号分别输入至该第一NMOS管（41）的栅极、第二NMOS管（42）的栅极。

5.如权利要求4所述的频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，

所述LC振荡电路（20）包含：

压控振荡电路信号输入端（25），

一对可变电容（22），分别对称连接设置所述压控振荡电路信号输入端（25）两侧；

一对固定电容总成（21），分别对称连接设置在所述一对可变电容（22）两侧，形成电容串联电路（23）；

所述电容串联电路（23）的两端分别为压控振荡电路信号输出端；

   电感（24），所述电感（24）两端分别与所述电容串联电路（23）两输出端连接。

6.如权利要求5所述的频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，所述镜像电流源电路（40）的输出端分别连接在所述固定电容总成（21）与所述可变电容（22）之间。

7.如权利要求5所述的频率不随温度变化的压控振荡器电路，其特征在于，每个所述固定电容总成（21）包含多个固定电容（211），一对所述固定电容总成（21）的总电容值分别相等。