[实用新型]一种频率不随温度变化的压控振荡器电路有效

专利信息
申请号: 201420541126.5 申请日: 2014-09-19
公开(公告)号: CN204131497U 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 韩业奇;倪文海;徐文华 申请(专利权)人: 杭州迦美信芯通讯技术有限公司;上海迦美信芯通讯技术有限公司
主分类号: H03L1/02 分类号: H03L1/02
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 徐雯琼;包姝晴
地址: 310018 浙江省杭州市经济技术开发区*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 频率 温度 变化 压控振荡器 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及导航通讯领域中的控制电路,具体涉及一种频率不随温度变化的压控振荡器电路。 

背景技术

锁相环频率合成器在现阶段的无线通信、多模导航等射频收发芯片系统架构中不可或缺的部分。而压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,简称VCO)是锁相环频率合成器的核心部件,频率合成器的输出频率就是由压控振荡器产生的,频率合成器的其他部件都是为压控振荡器服务的。而现代无线射频通信对相位噪声的苛刻要求,为了满足这一要求一般都得采用LC振荡器。LC振荡器有相位噪声好 ,频率稳定度高、电源电压影响小等的优点。但是随着工艺特征尺寸的不断缩小,电源电压也不断减小,加上现代无线通信对压控振荡器有更宽的频率可调范围及更低相位噪声的苛刻要求,温度变化所引起的频率漂移对于整个射频收发芯片更加严重。 

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种频率不随温度变化的压控振荡器电路,通过设置第一交叉耦合管、LC振荡电路、第二交叉耦合管、镜像电流源电路等,特别是在LC振荡电路设有一对可变电容,并在镜像电流源电路输入具有斜率的负温度系数电流,使得本实用新型在不增加电路复杂度及电路功耗且实现高性能的前提下,避免第一交叉耦合管、第二交叉耦合管的工作状态发生变化从而导致VCO电路信号输出端的振荡频率发生变化,最终能够有效解决或者抵消温度变化所引起的频率漂移。

为了达到上述目的,本实用新型通过以下技术方案实现:

一种频率不随温度变化的压控振荡器电路,其特点是,该电路包含:

第一交叉耦合管,其输入端连接外部电源;

LC振荡电路,两输出端分别与所述第一交叉耦合管的两输出端并联连接;

第二交叉耦合管,两输入端分别与所述LC振荡电路两输出端并联连接;

镜像电流源电路,所述镜像电流源电路的输入端输入具有斜率的负温度系数电流;所述镜像电流源电路与所述LC振荡电路连接;

分压电阻,所述分压电阻的一端与所述第一交叉耦合管的输入端连接,该分压电阻的另一端与所述镜像电流源电路的输出端连接;

滤波电容,所述滤波电容的一端与所述镜像电流源电路的输出端连接,该滤波电容的另一端接地。

优选地,所述第一交叉耦合管包含:第一PMOS管、第二PMOS管交叉耦合连接; 

所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的漏极连接,该第二PMOS管的栅极与该第一PMOS管的漏极连接;

该第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极分别为该第一交叉耦合管的输出端;

所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极分别接外部电源。

优选地,所述第二交叉耦合管包含:第一NMOS管、第二NMOS管交叉耦合连接;

该第一NMOS管的栅极与该第二NMOS管的漏极连接,该第二NMOS管的栅极与该第一NMOS管的漏极连接;

该第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极分别为所述第二交叉耦合管的输入端;

所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极分别接地。

优选地,所述镜像电流源电路包含:第一NMOS管、第二NMOS管;

所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极分别接地,该第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极连接;

该第一NMOS管的漏极为所述镜像电流源电路的输入端,该第二NMOS管的漏极为所述镜像电流源电路的输出端;具有斜率的负温度系数电流信号分别输入至该第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极。

优选地,所述LC振荡电路包含:

压控振荡电路信号输入端,

一对可变电容,分别对称连接设置所述压控振荡电路信号输入端两侧;

一对固定电容总成,分别对称连接设置在所述一对可变电容两侧,形成电容串联电路;

所述电容串联电路的两端分别为压控振荡电路信号输出端;

电感,所述电感两端分别与所述电容串联电路两输出端连接。

优选地,所述镜像电流源电路的输出端分别连接在所述固定电容总成与所述可变电容之间。

优选地,每个所述固定电容总成包含多个固定电容,两个所述固定电容总成的总电容值相等。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点:

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