[实用新型]基于三输入保护门的抗辐射锁存器

权利要求书

1.一种基于三输入保护门的抗辐射锁存器，其特征是，由6个传输门TG1～6，3个反相器INV1～3，3个二输入保护门DIG1～3和一个三输入保护门构成，有三路相同的输入信号分别对应输入到输入端D1、D2、D3，输入端D1、D2、D3分别依次对应通过传输门TG1、传输门T G2、传输门TG3送入对应的二输入保护门DIG1～3，输入信号经输入端D1、输入端D2作为二输入保护门DIG1的输入，二输入保护门DIG1的输出A经过反相器INV1和传输门TG4连至输入端D1；输入端D2、输入端D3作为二输入保护门DIG2的输入，二输入保护门DIG2的输出B经由反相器INV2和传输门TG5连至输入端D2；输入端D1、输入端D3作为二输入保护门DIG3的输入，二输入保护门DIG3的输出C经反相器INV3和TG6连至输入端D3；输出A、B、C作为三输入保护门TIG的输入信号，三输入保护门TIG输出为Q。

2.如权利要求1所述的基于三输入保护门的抗辐射锁存器，其特征是，二输入保护门DIG结构为，使用两个PMOS管PM1和PM2串联，两个NMOS管NM1和NM2串联；PM1的源级接VDD，PM2的漏极接NM2的漏极，NM1的源级接GND，PM1和NM1的栅极作为一个输入A，PM2和NM2的栅极作为另一个输入B，PM2和NM2的漏极作为输出O。

3.如权利要求1所述的基于三输入保护门的抗辐射锁存器，其特征是，三输入保护门TIG的结构为：使用三个PMOS管PM4、PM5、PM6串联，三个NMOS管NM4、NM5、NM6串联；PM1的源级接VDD，PM3的漏极接NM3的漏极，NM1的源级接GND，PM1和NM1的栅极作为一个输入A，PM2和NM2的栅极作为另一个输入B，PM3和NM3的栅极作为另一个输入C，PM3和NM3的漏极作为输出O。

4.如权利要求1所述的基于三输入保护门的抗辐射锁存器，其特征是，所用晶体管的宽长比如表1所示：

表1

单元 PMOS/最小尺寸 NMOS/最小尺寸 开关 1 1 反相器 2 1 DIG 4 2 TIG 6 3

电路中传输门所用晶体管采用最小尺寸，反相器的P管的宽度是最小宽度的2倍，来保证上升时间和下降时间的一致，DIG所用晶体管尺寸是反相器的2倍，TIG所用晶体管的尺寸是反相器的3倍。