[实用新型]一种浪涌抑制斩波降压电路有效

专利信息
申请号: 201420560078.4 申请日: 2014-09-25
公开(公告)号: CN204119043U 公开(公告)日: 2015-01-21
发明(设计)人: 吴昌飞 申请(专利权)人: 吴昌飞
主分类号: H02M5/275 分类号: H02M5/275;H02M1/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315700 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 浪涌 抑制 降压 电路
【权利要求书】:

1.一种浪涌抑制斩波降压电路,其特征在于,包括与交流源连接的MOS管型浪涌抑制器和与MOS管型浪涌抑制器连接的斩波降压电路;所述的MOS管型浪涌抑制器包括分别连接在交流输入电源的火线L与零线N之间的第一分压支路和第二分压支路,该第一分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R1和电阻R2,该第二分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R3和电阻R4;电阻R1和电阻R2的公共端与电阻R3和电阻R4的公共端相连;第二分压支路还包括与电阻R1、电阻R3并联的电容支路,该电容支路包括串接的电容C1和电容C2,第二分压支路连接一P沟道型MOS管Q1;MOS管Q1的栅极连接电阻R1和电阻R2的公共端,源极连接交流输入电源的火线;在MOS管Q1的源极与漏极之间设有电阻R5,电阻R5还与所述的电容支路连接,所述的斩波降压电路包括一个补偿变压器T1、4个IGBT模块、电感L1和电容C3,输入电压火线L接补偿变压器T1副边的一端,补偿变压器T1副边的另一端接模块IGBT1的集电极和所述MOS管Q1的漏极,模块IGBT1和IGBT2的发射极相向串联,IGBT2的集电极输出接电感L1和IGBT4的集电极,电感L1的另一端接补偿变压器T1原边的一端和电容C3的一端,补偿变压器T1原边的另一端和C1的另一端均接零线N,IGBT4和IGBT3的发射极相向串联,IGBT3的集电极接零线N。 

2.根据权利要求1所述的一种浪涌抑制斩波降压电路,其特征在于:所述的MOS管Q1为P沟道型MOS管。 

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