[实用新型]一种浪涌抑制斩波降压电路有效
申请号: | 201420560078.4 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN204119043U | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 吴昌飞 | 申请(专利权)人: | 吴昌飞 |
主分类号: | H02M5/275 | 分类号: | H02M5/275;H02M1/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315700 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 浪涌 抑制 降压 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及调压器技术领域,具体为一种浪涌抑制斩波降压电路。
背景技术
大部分用电设备都需要在一个指定的电压下正常工作,但是在一些电压偏高的场合,就需要对现有电压进行降压处理,目前市场上最简单的降压方式采用调压器实现降压,它主要采用碳刷在变压器上调节,这种降压方式的不足之处是碳刷长期工作时,存在一定的机械磨损,需要定期维护,且存在一定的机械故障率;还有采用继电器切换方式,这种方式的不足之处是输出电压不连续,精度不高,不能达到高精度稳压输出的目的,同时也存在继电器触点磨损的情况。特别是在一些易燃易爆的场合,如加油站等,有触点的调节方式,容易打火引发火灾,存在一定的人身财产安全隐患,而且,在交流输入电源接通瞬间,滤波电路中滤波电容迅速充电,所以该峰值电流远远大于稳态输入电流,即产生浪涌电流,浪涌电流不仅缩短了滤波电容的寿命,同时也对降压电路乃至整个降压装置都有较大冲击,造成毁灭性的损伤。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种浪涌抑制斩波降压电路,以解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种浪涌抑制斩波降压电路,包括与交流源连接的MOS管型浪涌抑制器和与MOS管型浪涌抑制器连接的斩波降压电路;所述的MOS管型浪涌抑制器包括分别连接在交流输入电源的火线L与零线N之间的第一分压支路和第二分压支路,该第一分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R1和电阻R2,该第二分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R3和电阻R4;电阻R1和电阻R2的公共端与电阻R3和电阻R4的公共端相连;第二分压支路还包括与电阻R1、电阻R3并联的电容支路,该电容支路包括串接的电容C1和电容C2,第二分压支路连接一P沟道型MOS管Q1;MOS管Q1的栅极连接电阻R1和电阻R2的公共端,源极连接交流输入电源的火线;在MOS管Q1的源极与漏 极之间设有电阻R5,电阻R5还与所述的电容支路连接,所述的斩波降压电路包括一个补偿变压器T1、4个IGBT模块、电感L1和电容C3,输入电压火线L接补偿变压器T1副边的一端,补偿变压器T1副边的另一端接模块IGBT1的集电极和所述MOS管Q1的漏极,模块IGBT1和IGBT2的发射极相向串联,IGBT2的集电极输出接电感L1和IGBT4的集电极,电感L1的另一端接补偿变压器T1原边的一端和电容C3的一端,补偿变压器T1原边的另一端和C1的另一端均接零线N,IGBT4和IGBT3的发射极相向串联,IGBT3的集电极接零线N。
进一步的,所述的MOS管Q1为P沟道型MOS管。
综上所述,当输入电压出现波动时,本实用新型通过控制4个IGBT的导通时间来控制补偿变压器T1的原边电压,改变补偿变压器T1副边电压ΔU的电压值,实现输出电压稳定在所需的电压值。IGBT1和IGBT2的导通或者截止工作状态相同,IGBT3和IGBT4导通或者截止的工作状态相同;且IGBT1和IGBT2导通的情况下,IGBT3和IGBT4截止;IGBT1和IGBT2截止的情况下,IGBT3和IGBT4导通,而且本实用新型通过MOS管型浪涌抑制器对MOS管型斩波降压电路提供电路保护,提高了整个调压装置的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
如图1所示的一种浪涌抑制斩波降压电路,包括与交流源连接的MOS管型浪涌抑制器和与MOS管型浪涌抑制器连接的斩波降压电路;所述的MOS管型浪涌抑制器包括分别连接在交流输入电源的火线L与零线N之间的第一分压支路和第二分压支路,该第一分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R1和电阻R2,该第二分压支路包括串接在交流输入电源的火线与零线之间电阻R3和电阻R4;电阻R1和电阻R2的公共端与电阻 R3和电阻R4的公共端相连(即电阻R3与电阻R1并联,电阻R4与电阻R2并联);第二分压支路还包括与电阻R1、电阻R3并联的电容支路,该电容支路包括串接的电容C1和电容C2,第二分压支路连接一P沟道型MOS管Q1;MOS管Q1的栅极连接电阻R1和电阻R2的公共端,源极连接交流输入电源的火线;在MOS管Q1的源极与漏极之间设有电阻R5,电阻R5还与所述的电容支路连接,所述的MOS管Q1为P沟道型MOS管;
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