[实用新型]一种低压差线性稳压电路有效
申请号: | 201420587167.8 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN204331533U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 王文建 | 申请(专利权)人: | 杭州宽福科技有限公司 |
主分类号: | G05F3/16 | 分类号: | G05F3/16 |
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地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 线性 稳压 电路 | ||
1.低压差线性稳压电路,包括启动电路、输出驱动电路、误差放大电路、采样反馈电路和调整管,其特征在于,所述启动电路包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻和第三NPN管,所述输出驱动电路包括第一电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三电阻、第四电阻、第三PMOS管和第四NPN管,所述误差放大电路包括第四PMOS管、第五NPN管、第五PMOS管、第六NPN管、第五电阻、第七NPN管、第六电阻、第七电阻和第八NPN管,所述采样反馈电路包括第八电阻和第九电阻:
所述第一电阻的一端输入电压信号,另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极;
所述第一NPN管的基极接集电极和所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极,发射极接所述第二NPN管的基极和集电极;
所述第二NPN管的基极接集电极和所述第一NPN管的发射极,发射极接地;
所述第二电阻的一端接输入电压信号,另一端接第三NPN管的集电极和所述调整管和所述输出驱动电路;
所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极,集电极接所述第二电阻的一端和所述调整管和所述输出驱动电路;
所述第一电容的一端接所述第二电阻的一端和所述第三NPN管的集电极和所述调整管,另一端接所述第一PMOS管的漏极;
所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NPN管的集电极,漏极接所述第一电容的一端,源极接输出电压信号;
所述第二PMOS管的栅极和所述误差放大电路的输出,漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第三电阻的一端,源极接输出电压信号;
所述第三电阻的一端接所述第三NPN管的发射极和所述第二PMOS管的漏极,另一端接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的基极;
所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第四NPN管的基极,另一端接地;
所述第三PMOS管的栅极接所述误差放大电路的偏置,漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四NPN管的集电极,源极接输出电压信号;
所述第四NPN管的基极接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端,集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极;
所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第二PMOS管的栅极和所述第五NPN管的集电极,源极接输出电压信号;
所述第五NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第七NPN管的集电极,集电极接所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极,发射极接地;
所述第五PMOS管的栅极接漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六NPN管的集电极,源极输出电压信号;
所述第六NPN管的基极接所述采样反馈电路,集电极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极,发射极接所述第五电阻的一端和所述第七电阻的一端;
所述第五电阻的一端接所述第六NPN管的发射极和所述第七电阻的一端,另一端接所述第五NPN管的基极和所述第七NPN管的集电极;
所述第七NPN管的基极接所述第八NPN管的基极和集电极和所述第七电阻的一端,集电极接所述第五NPN管的基极和所述第五电阻的一端,发射极接所述第六电阻的一端;
所述第六电阻的一端接所述第七NPN管的发射极,另一端接地;
所述第七电阻的一端接所述第五电阻的一端和所述第六NPN管的发射极,另一端接所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极和集电极;
所述第八NPN管的基极接集电极和所述第七NPN管的基极和所述第七电阻的一端,发射极接地;
所述第八电阻的一端接输出电压信号,另一端接所述第六NPN管的基极和所述第九电阻的一端;
所述第九电阻的一端接所述第八电阻的一端和所述第六NPN管的基极,另一端接地。
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