[实用新型]一种低压差线性稳压电路有效
申请号: | 201420587167.8 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN204331533U | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 王文建 | 申请(专利权)人: | 杭州宽福科技有限公司 |
主分类号: | G05F3/16 | 分类号: | G05F3/16 |
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地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 线性 稳压 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术,尤其涉及到低压差线性稳压电路。
背景技术
在低压差线性稳压电路很多参数中,稳定性是至关重要的。
发明内容
本实用新型旨在解决现有技术的不足,提供一种稳定性高的低压差线性稳压电路。
低压差线性稳压电路,包括启动电路、输出驱动电路、误差放大电路、采样反馈电路和调整管:
所述启动电路是产生启动电流让整个电路处于启动状态;
所述输出驱动电路是输出驱动信号驱动所述调整管;
所述误差放大电路是对所述采样反馈电路的信号进行误差放大;
所述采样反馈电路是对输出电压信号进行采样并反馈给所述误差放大电路;
所述调整管是通过调整其管压降达到稳定输出电压。
所述启动电路包括第一电阻、第一NPN管第二NPN管、第二电阻和第三NPN管:
所述第一电阻的一端输入电压信号,另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极;
所述第一NPN管的基极接集电极和所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极,发射极接所述第二NPN管的基极和集电极;
所述第二NPN管的基极接集电极和所述第一NPN管的发射极,发射极接地;
所述第二电阻的一端接输入电压信号,另一端接第三NPN管的集电极和所述调整管和所述输出驱动电路;
所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极,集电极接所述第二电阻的一端和所述调整管和所述输出驱动电路。
所述输出驱动电路包括第一电容、第一PMOS管、第二PMOS管、第三电阻、第四电阻、第三PMOS管和第四NPN管:
所述第一电容的一端接所述第二电阻的一端和所述第三NPN管的集电极和所述调整管,另一端接所述第一PMOS管的漏极;
所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四NPN管的集电极,漏极接所述第一电容的一端,源极接输出电压信号;
所述第二PMOS管的栅极和所述误差放大电路的输出,漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第三电阻的一端,源极接输出电压信号;
所述第三电阻的一端接所述第三NPN管的发射极和所述第二PMOS管的漏极,另一端接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的基极;
所述第四电阻的一端接所述第三电阻的一端和所述第四NPN管的基极,另一端接地;
所述第三PMOS管的栅极接所述误差放大电路的偏置,漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四NPN管的集电极,源极接输出电压信号;
所述第四NPN管的基极接所述第三电阻的一端和所述第四电阻的一端,集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的漏极。
所述误差放大电路包括第四PMOS管、第五NPN管、第五PMOS管、第六NPN管、第五电阻、第七NPN管、第六电阻、第七电阻和第八NPN管:
所述第四PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第二PMOS管的栅极和所述第五NPN管的集电极,源极接输出电压信号;
所述第五NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第七NPN管的集电极,集电极接所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极,发射极接地;
所述第五PMOS管的栅极接漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六NPN管的集电极,源极输出电压信号;
所述第六NPN管的基极接所述采样反馈电路,集电极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极,发射极接所述第五电阻的一端和所述第七电阻的一端;
所述第五电阻的一端接所述第六NPN管的发射极和所述第七电阻的一端,另一端接所述第五NPN管的基极和所述第七NPN管的集电极;
所述第七NPN管的基极接所述第八NPN管的基极和集电极和所述第七电阻的一端,集电极接所述第五NPN管的基极和所述第五电阻的一端,发射极接所述第六电阻的一端;
所述第六电阻的一端接所述第七NPN管的发射极,另一端接地;
所述第七电阻的一端接所述第五电阻的一端和所述第六NPN管的发射极,另一端接所述第七NPN管的基极和所述第八NPN管的基极和集电极;
所述第八NPN管的基极接集电极和所述第七NPN管的基极和所述第七电阻的一端,发射极接地。
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