[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于所述半导体器件包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有有源区和无源区；

在所述有源区中形成的多个有源沟槽，所述多个有源沟槽中的第一有源沟槽具有在沿着轴的第一方向上延伸第一距离的纵向部分，并且在所述第一有源沟槽的远端具有沟槽端部；

所述多个有源沟槽的外周边，其中所述外周边的第一部分沿着第一方向延伸，并且所述外周边的第二部分沿着和所述第一方向不同的第二方向延伸；

在所述第一有源沟槽内的板状导体；

围绕所述多个有源沟槽的所述外周边的终止沟槽；

在所述终止沟槽内的终止导体；

在所述多个有源沟槽的所述外周边之外，沿着所述第一方向延伸的所述终止沟槽的纵向侧面；和

在所述多个有源沟槽的所述外周边的所述第二部分之外的所述终止沟槽的第二侧面，所述终止沟槽的所述第二侧面的第一区段与所述第一有源沟槽的第一沟槽端部并置，其中所述第一区段包括非线性形状，所述非线性形状包括扇形形状或角形形状或突起形状或喇叭口形状或菱形形状之一，所述第一区段被布置成在所述第一区段的内缘和所述第一有源沟槽的所述第一沟槽端部的第一角部之间形成第二距离，并且在所述第一有源沟槽的纵向侧面和相邻有源沟槽的纵向侧面之间，或者在所述第一有源沟槽的所述纵向侧面和所述终止沟槽的所述纵向侧面之间，形成第三距离，其中所述第二距离不大于或者不小于所述第三距离。

2.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述半导体器件还包括延伸从而接触所述多个有源沟槽中的所述相邻有源沟槽的端部的所述终止沟槽的所述第二侧面的第二区段，其中所述终止沟槽的所述终止导体物理地且电气地接触所述相邻有源沟槽的所述板状导体。

3.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述终止导体物理地且电气地接触所述多个有源沟槽中的每隔一个有源沟槽的所述板状导体。

4.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第一有源沟槽的所述第一沟槽端部和所述终止沟槽的所述内缘之间的所述第二距离减小在所述第一有源沟槽的所述第一沟槽端部的所述第一角部和所述终止沟槽的所述内缘之间的半导体材料的体积。

5.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于所述第一有源沟槽的所述第一沟槽端部具有比所述第一有源沟槽的所述纵向部分的宽度更大的宽度。

6.一种半导体器件，其特征在于所述半导体器件包括：

形成在硅半导体衬底上的所述半导体器件；

形成在所述半导体器件的有源区中的多个有源沟槽，包括具有沿着在第一方向上的第一长度延伸的纵向侧面和在所述多个有源沟槽的远端的沟槽端部的所述多个有源沟槽，其中所述沟槽端部具有第一轮廓；和

绕所述多个有源沟槽的外周边延伸的终止沟槽，包括具有沿所述终止沟槽的第一侧面的第二轮廓和沿着所述终止沟槽的第二侧面的第三轮廓的所述终止沟槽，包括所述第一轮廓或所述第三轮廓之一的变化的轮廓，其中所述变化的轮廓在至少位于所述多个有源沟槽中的第一有源沟槽的第一沟槽端部的第一角部和所述终止沟槽的所述第二侧面之间的第一过渡区中形成半导体材料的第一体积，并且形成半导体材料的第二体积，所述半导体材料的第二体积在所述终止沟槽的所述第一侧面和所述多个有源沟槽中的第一有源沟槽的纵向侧面之间，或者在所述第一有源沟槽的所述纵向侧面和所述多个有源沟槽中的第二有源沟槽的纵向侧面之间，其中所述第一体积不大于所述第二体积。

7.按照权利要求6所述的半导体器件，其特征在于所述第三轮廓包括在所述第一有源沟槽的第一沟槽端部附近的袋区或者从所述终止沟槽朝着所述第一方向延伸到在所述多个有源沟槽中的所述第一有源沟槽和第二有源沟槽之间的空间中的突起之一。

8.按照权利要求6所述的半导体器件，其特征在于所述半导体器件包括与第一沟槽端部并置的所述终止沟槽的内缘，并且所述内缘与所述第一角部隔开第一距离，并在所述第一有源沟槽的所述纵向侧面和第二有源沟槽的纵向侧面或所述终止沟槽的第一侧面之一之间具有第二距离，其中所述第一距离不大于所述第二距离或者不小于所述第二距离。