[实用新型]半导体器件

说明书

对在先临时申请的优先权要求

本申请要求2013年10月21日提交的卷号为ONS01655.1661，并且具有共同的发明人Hossain等的，题目为“形成包括沟槽终止的半导体器件的方法以及其沟槽结构”的在先提交临时申请No.61/893,882的优先权，该申请在此以引用的方式并入本文；并且要求2013年12月18日提交的卷号为ONS01655.1661，并且具有共同的发明人Hossain等的，题目为“形成包括沟槽终止的半导体器件的方法以及其沟槽结构”的在先提交临时申请No.61/917,908的优先权，该申请在此以引用的方式并入本文。

技术领域

本实用新型总体涉及电子器件，并且更具体地，涉及半导体，半导体的结构和形成半导体器件的方法。

背景技术

过去，半导体工业利用各种方法和结构形成金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)。击穿电压(BVdss)常常是这种晶体管的一个重要特性。可能影响这种器件的稳定性的元件可以提供设计和工艺参数上的改进，以生产鲁棒的产品。晶体管的一些实施例利用沟槽终止结构(trench termination structure)和屏蔽板结构(shield plate structure)来改善击穿电压特性。沟槽终止结构通常围绕在器件的周边，屏蔽板结构位于器件的有源区之下。不过，在一些设计中，击穿电压(比如BVDss)低于期望值。

从而，理想的是具有一种改善击穿电压的MOS器件和/或MOS器件结构。

实用新型内容

本实用新型的一个方面的目的是提供具有改善的击穿电压特性的包括沟槽终止的半导体器件，以提高鲁棒性。

半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有有源区和无源区；在有源区中形成的多个有源沟槽，所述多个有源沟槽中的第一有源沟槽具有在沿着轴的第一方向上延伸第一距离的纵向部分，并且在所述第一有源沟槽的远端具有沟槽端部；所述多个有源沟槽的外周边，其中所述外周边的第一部分沿着第一方向延伸，并且所述外周边的第二部分沿着和所述第一方向不同的第二方向延伸；在所述第一有源沟槽内的板状导体；围绕所述多个有源沟槽的所述外周边的终止沟槽；在所述终止沟槽内的终止导体；在所述多个有源沟槽的所述外周边之外，沿着所述第一方向延伸的所述终止沟槽的纵向侧面；和在所述多个有源沟槽的所述外周边的所述第二部分之外的所述终止沟槽的第二侧面，所述终止沟槽的所述第二侧面的第一区段与所述第一有源沟槽的第一沟槽端部并置，其中所述第一区段包括非线性形状，所述非线性形状包括扇形形状或角形形状或突起形状或喇叭口形状或菱形形状之一，所述第一区段被布置成在所述第一区段的内缘和所述第一有源沟槽的所述第一沟槽端部的第一角部之间形成第二距离，和在所述第一有源沟槽的纵向侧面和相邻有源沟槽的纵向侧面之间，或者在所述第一有源沟槽的所述纵向侧面和所述终止沟槽的所述纵向侧面之间，形成第三距离，其中所述第二距离不大于或者不小于所述第三距离。

优选地，所述的半导体器件还包括延伸从而接触所述多个有源沟槽中的所述相邻有源沟槽的端部的所述终止沟槽的所述第二侧面的第二区段，其中所述终止沟槽的所述终止导体物理地且电气地接触所述相邻有源沟槽的所述板状导体。

优选地，所述的半导体器件还包括延伸从而接触所述多个有源沟槽中的所述相邻有源沟槽的端部的所述终止沟槽的所述第二侧面的第二区段，其中所述终止沟槽的所述终止导体物理地且电气地接触所述相邻有源沟槽的所述板状导体。

优选地，所述终止导体物理地且电气地接触所述多个有源沟槽中的每隔一个有源沟槽的所述板状导体。

优选地，所述第一有源沟槽的所述第一沟槽端部和所述终止沟槽的所述内缘之间的所述第二距离减小在所述第一有源沟槽的所述第一沟槽端部的所述第一角部和所述终止沟槽的所述内缘之间的半导体材料的体积。

优选地，所述第一有源沟槽的所述第一沟槽端部具有比所述第一有源沟槽的所述纵向部分的宽度更大的宽度。