[实用新型]发光二极管以及包括其的发光二极管模块有效

专利信息
申请号: 201420613865.0 申请日: 2014-10-23
公开(公告)号: CN204348750U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 郭德博;徐正毅 申请(专利权)人: 北京中科天顺信息技术有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102206 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 以及 包括 模块
【权利要求书】:

1.一种发光二极管,其特征在于,该发光二极管包括:

非掺杂层;

依次形成在该非掺杂层上的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层;

开槽,从该P型半导体层表面延伸到该N型半导体层表面或延伸到该N型半导体层中,开槽后剩余的P型半导体层、量子阱发光层及N型半导体层分别为P型半导体部、量子阱发光部及N型半导体部;

P型欧姆接触层,形成在该P型半导体部上;

绝缘介质膜,形成在该开槽的侧壁和该P型欧姆接触层上;

金属层,形成在该开槽底部的N型半导体部以及该绝缘介质膜上;

支撑衬底,形成在该金属层上;

第一盲孔和第二盲孔,该第一盲孔从非掺杂层表面延伸到P型欧姆接触层表面,该第二盲孔从非掺杂层表面延伸到金属层表面;

P型及N型压焊部,分别形成在露出的P型欧姆接触层以及金属层上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该金属层由N型欧姆接触层和位于N型欧姆接触层上的隔离层构成。

3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该支撑衬底由金属支撑层和其上的高阻支撑层组成。

4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,该高阻支撑层是氧化铝片、氮化铝片或表面附着绝缘层的金属片。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的发光二极管,其特征在于,该发光二极管还包括用于提高光提取效率的结构,形成在该非掺杂层表面上。

6.根据权利要求5所述的发光二极管,其特征在于,该结构呈凹坑状、凸球面状或者锯齿形。

7.一种发光二极管模块,包括:

支撑基板;

多个根据权利要求1-6中任一项所述的发光二极管,该多个发光二极管设置在该支撑基板上;

连接导线,用于将该多个发光二极管串联或并联连接在一起。

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