[实用新型]发光二极管以及包括其的发光二极管模块有效
申请号: | 201420613865.0 | 申请日: | 2014-10-23 |
公开(公告)号: | CN204348750U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 郭德博;徐正毅 | 申请(专利权)人: | 北京中科天顺信息技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102206 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 以及 包括 模块 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,该发光二极管包括:
非掺杂层;
依次形成在该非掺杂层上的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层;
开槽,从该P型半导体层表面延伸到该N型半导体层表面或延伸到该N型半导体层中,开槽后剩余的P型半导体层、量子阱发光层及N型半导体层分别为P型半导体部、量子阱发光部及N型半导体部;
P型欧姆接触层,形成在该P型半导体部上;
绝缘介质膜,形成在该开槽的侧壁和该P型欧姆接触层上;
金属层,形成在该开槽底部的N型半导体部以及该绝缘介质膜上;
支撑衬底,形成在该金属层上;
第一盲孔和第二盲孔,该第一盲孔从非掺杂层表面延伸到P型欧姆接触层表面,该第二盲孔从非掺杂层表面延伸到金属层表面;
P型及N型压焊部,分别形成在露出的P型欧姆接触层以及金属层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该金属层由N型欧姆接触层和位于N型欧姆接触层上的隔离层构成。
3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该支撑衬底由金属支撑层和其上的高阻支撑层组成。
4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,该高阻支撑层是氧化铝片、氮化铝片或表面附着绝缘层的金属片。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的发光二极管,其特征在于,该发光二极管还包括用于提高光提取效率的结构,形成在该非掺杂层表面上。
6.根据权利要求5所述的发光二极管,其特征在于,该结构呈凹坑状、凸球面状或者锯齿形。
7.一种发光二极管模块,包括:
支撑基板;
多个根据权利要求1-6中任一项所述的发光二极管,该多个发光二极管设置在该支撑基板上;
连接导线,用于将该多个发光二极管串联或并联连接在一起。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科天顺信息技术有限公司,未经北京中科天顺信息技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420613865.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。