[实用新型]发声装置的振膜结构有效

专利信息
申请号: 201420618408.0 申请日: 2014-10-24
公开(公告)号: CN204259145U 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 邓克忠 申请(专利权)人: 邓克忠
主分类号: H04R7/06 分类号: H04R7/06
代理公司: 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人: 刘俊
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发声 装置 膜结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型关于一种振膜结构,特别关于利用电解接合将金属线圈固定于振膜的薄膜上,藉此大幅降低发声装置单体的厚度的振膜结构。

背景技术

根据结构以及发声的原理不同,发声装置的种类可以分为动圈式喇叭、压电喇叭、陶瓷压电喇叭以及纸喇叭等许多种类,其中,最常见即为传统的动圈式喇叭。动圈式喇叭的结构,主要是将一漆包线圈缠绕于圆型管柱的外周围后构成一音圈后,再将音圈的一端胶合于一振膜的一侧后置放于磁铁的一侧,以形成动圈式喇叭的单体。在利用此种单体发声时,使对应的音频电流通过漆包线圈,使得线圈的磁场透过电磁感应发生变化而带动振膜振动,藉此振动空气而发声。动圈式喇叭单体具有中低频的音效佳的优点,然而,由于其体积较大,动圈式喇叭并不适用于小体积的装置之中,此外,由于动圈式喇叭的单体厚度较后,其高频的性能也较差。

在现有的一些单体结构中,音圈大都是以背胶的方式固定在薄膜上。由于目前业界中可用的背胶都具有一定的厚度,因此,此种固定方式会使得单体整体的厚度变得较厚,进而导致如耳机等发声装置的单体以及耳机整体的尺寸无法变小;此外,当需要增加发声装置的灵敏度时,一般来说会透过增加线圈的数量来增加单体的磁通量密度,然而,由于传统使用背胶的固定方式会使得线圈数量增加后的单体厚度变得过厚,因而对发声装置及耳机的设计造成了限制。

实用新型内容

基于上述理由,本实用新型的目的在于提供一种振膜结构,其利用电解接合代替背胶的方式将金属线圈固定于薄膜上以构成发声装置的振膜,藉此大幅降低振膜的厚度。

本实用新型的另一目的在于提供一种振膜结构,其利用电解接合方式将多个金属线圈与多个薄膜交替迭加固定,使得振膜结构在厚度不变的条件下可以具有更大的磁通量。

为达成前述目的,本实用新型提供一种振膜结构,其包括:一薄膜层、一第一电路薄膜层、一第二电路薄膜层以及至少一导电结构。所述薄膜层具有一第一侧以及一第二侧。所述第一电路薄膜层透过一第一电解接合层固定于薄膜层的第一侧,且其一端具有一第一接触端子。所述第二电路薄膜层透过一第二电解接合层固定于薄膜层的第二侧,且其一端具有一第二接触端子。所述至少一导电结构穿透薄膜层连接第一电路薄膜层以及第二电路薄膜层。

根据本发明的一实施例,所述导电结构包括一穿孔以及一导电层。所述穿孔自第一电路薄膜层的一外表面穿过薄膜层穿透至第二电路薄膜层的一外表面。所述导电层设置在穿孔的一内周壁上,且导电层同时与第一电路薄膜层以及第二电路薄膜层相接触。

此外,本实用新型提供另一种振膜结构,其包括:一薄膜层、一第一电路薄膜层、至少一迭合层、一第二电路薄膜层以及多个导电结构。所述薄膜层具有一第一侧以及一第二侧。所述第一电路薄膜层透过一第一电解接合层固定于薄膜层的第一侧,且其一端具有一第一接触端子。所述至少一迭合层的每一者包括:一第三电路薄膜层以及一迭合薄膜层。所述迭合薄膜层透过一迭合电解接合层固定于第三电路薄膜层;其中,该至少一迭合层中最外侧的第三电路薄膜层透过一第三电解接合层固定于薄膜层的第二侧。所述第二电路薄膜层透过一第二电解接合层固定于至少一迭合层中最外侧的迭合薄膜层,且其一端具有一第二接触端子。其中,在第一电路薄膜层、第二电路薄膜层以及至少一第三电路薄膜层中每两个相邻的电路薄膜层透过至少一导电结构相连接。

根据本实用新型的一实施例,所述导电结构的每一者包括一穿孔以及一导电层。所述穿孔自该两个相邻的电路薄膜层中的前一者穿过两个相邻的电路薄膜层之间的该迭合薄膜层或该薄膜层穿透至两个相邻的电路薄膜层中的后一者。所述导电层设置在穿孔的一内周壁上,且导电层与该两个相邻的电路薄膜层相接触。

根据本实用新型的一实施例,所述振膜结构进一步包括多个覆盖部分,所述覆盖部分在第一电路薄膜层的外表面以及第二电路薄膜层的外表面上围绕各个所述穿孔设置,且所述覆盖部分分别与所述穿孔中的各个导电层相接触。

根据本实用新型的一实施例,所述振膜结构包括多个迭合层,且每两个迭合层之间透过迭合电解接合层相互固定。

附图说明

图1为显示根据本实用新型第一实施例的振膜结构的立体分解图;

图2为显示根据本实用新型第一实施例的振膜结构的侧视剖面图;

图3为显示根据本实用新型第二实施例的振膜结构的立体分解图;

图4为显示根据本实用新型第二实施例的振膜结构的侧视剖面图;

图5为显示根据本实用新型第三实施例的振膜结构的立体分解图。

其中,附图标记说明如下:

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